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1. (WO2015098842) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098842    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083915
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 22.12.2014
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
Inventeurs : SHIGA, Goji; (JP).
MORITA, Kosuke; (JP).
ISHIZAKA, Tsuyoshi; (JP).
IINO, Chie; (JP).
ISHII, Jun; (JP)
Mandataire : UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-270095 26.12.2013 JP
2014-098074 09.05.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a method for manufacturing a semiconductor device making it possible to manufacture a semiconductor device with fewer voids. This invention pertains to a method for manufacturing a semiconductor device including: a step for forming a sealed container provided with a stage and a film by causing the peripheral section of a laminate provided with a chip mounting substrate, a thermoset resin sheet disposed on the chip mounting substrate, and the film, which is provided with a center section that contacts the thermoset resin sheet and a peripheral section disposed around the center section, to be pressed onto the stage, which contacts the chip mounting substrate; and a step for raising the pressure outside the sealed container above the pressure inside the sealed container and thereby packing the thermoset resin sheet into the gap between the substrate and a semiconductor chip while covering the semiconductor chip with the thermoset resin sheet.
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur rendant possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur comprenant moins de vides. Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant : une étape de formation d'un contenant étanche pourvu d'un palier et d'un film en amenant la section périphérique d'un stratifié pourvu d'un substrat de montage de puce, d'une feuille en résine thermodurcissable disposée sur le substrat de montage de puce, et le film, pourvu d'une section centrale en contact avec la feuille en résine thermodurcissable et une section périphérique disposée autour de la section centrale, à être pressés sur le palier, qui est en contact avec le substrat de montage de puce ; et une étape d'augmentation de la pression à l'extérieur du contenant étanche au-dessus de la pression à l'intérieur du contenant étanche et, de ce fait, de bourrage de la feuille en résine thermodurcissable dans l'espace entre le substrat et une puce semi-conductrice tout en recouvrant la puce semi-conductrice de la feuille de résine thermodurcissable.
(JA) ボイドが少ない半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 チップ実装基板、チップ実装基板上に配置された熱硬化性樹脂シート、並びに熱硬化性樹脂シートと接する中央部及び中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層体の周辺部をチップ実装基板と接するステージに押し付けることにより、ステージ及びフィルムを備える密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、半導体チップを熱硬化性樹脂シートで覆いつつ、基板と半導体チップのギャップに熱硬化性樹脂シートを充填する工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)