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1. (WO2015098785) SEMICONDUCTEUR D'OXYDE DE TYPE P, COMPOSITION POUR LA PRODUCTION D'UN SEMICONDUCTEUR D'OXYDE DE TYPE P, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SEMICONDUCTEUR D'OXYDE DE TYPE P, ÉLÉMENT À SEMICONDUCTEURS, ÉLÉMENT D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098785    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083814
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 16.12.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo 1438555 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
ABE, Yukiko [JP/JP]; (JP) (US only).
UEDA, Naoyuki [JP/JP]; (JP) (US only).
NAKAMURA, Yuki [JP/JP]; (JP) (US only).
MATSUMOTO, Shinji [JP/JP]; (JP) (US only).
SONE, Yuji [JP/JP]; (JP) (US only).
SAOTOME, Ryoichi [JP/JP]; (JP) (US only).
ARAE, Sadanori [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : ABE, Yukiko; (JP).
UEDA, Naoyuki; (JP).
NAKAMURA, Yuki; (JP).
MATSUMOTO, Shinji; (JP).
SONE, Yuji; (JP).
SAOTOME, Ryoichi; (JP).
ARAE, Sadanori; (JP)
Mandataire : HIROTA, Koichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-268915 26.12.2013 JP
2014-212632 17.10.2014 JP
Titre (EN) P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, COMPOSITION FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM
(FR) SEMICONDUCTEUR D'OXYDE DE TYPE P, COMPOSITION POUR LA PRODUCTION D'UN SEMICONDUCTEUR D'OXYDE DE TYPE P, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SEMICONDUCTEUR D'OXYDE DE TYPE P, ÉLÉMENT À SEMICONDUCTEURS, ÉLÉMENT D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A p-type oxide semiconductor, which contains: a metal oxide containing thallium (Tl), where the metal oxide has been hole doped.
(FR)L'invention concerne un semiconducteur d'oxyde de type p, qui contient : un oxyde métallique contenant du thallium (Tl), l'oxyde métallique ayant été dopé par trous.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)