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1. (WO2015098777) AGENT MOUILLANT POUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ET COMPOSITION DE POLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098777    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083789
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 19.12.2014
CIB :
C09K 3/00 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), C09K 3/14 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : NITTA HAAS INCORPORATED [JP/JP]; 4-4-26, Sakuragawa, Naniwa-ku, Osaka-shi, Osaka 5560022 (JP)
Inventeurs : MATSUSHITA, Takayuki; (JP)
Mandataire : FUJIMOTO, Noboru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-267255 25.12.2013 JP
Titre (EN) WETTING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND POLISHING COMPOSITION
(FR) AGENT MOUILLANT POUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ET COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 半導体基板用濡れ剤及び研磨用組成物
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a wetting agent for a semiconductor substrate, said wetting agent including hydroxyethyl cellulose and water, wherein the hydroxyethyl cellulose has a radius of gyration of 56-255 nm inclusive and a contact angle of 10-32° inclusive.
(FR)La présente invention se rapporte à un agent mouillant pour un substrat semi-conducteur, l'agent mouillant contenant de l'hydroxyéthylcellulose et de l'eau, laquelle hydroxyéthylcellulose a un rayon de rotation de 56-255 nm et un angle de contact de 10-32 °
(JA) ヒドロキシエチルセルロースと水とを含む半導体基板用濡れ剤であって、前記ヒドロキシエチルセルロースは慣性半径が56nm以上255nm以下であり、且つ接触角が10°以上32°以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)