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1. (WO2015098679) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098679    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083514
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 18.12.2014
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : SAIJO, Shin; (JP).
YAMAZAKI, Hisashi; (JP).
YAMAMOTO, Koji; (JP).
KAI, Seiji; (JP).
WATANABE, Munehisa; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-272567 27.12.2013 JP
2014-191051 19.09.2014 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an elastic wave device which is not susceptible to the occurrence of cracks or separation of a piezoelectric thin film. An elastic wave device (1) wherein: a multilayer film (3), which is obtained by laminating a plurality of films including a piezoelectric thin film (6), is laminated on a supporting substrate (2); an IDT electrode (11) is provided on one surface of the piezoelectric thin film (6); a wiring electrode (12) is connected to the IDT electrode (11); the wiring electrode (12) has a lead-out electrode part (13) and a pad electrode part (14); an external connection terminal (7) is positioned above the pad electrode part (14); the external connection terminal (7) is electrically connected to the pad electrode part (14); and the external connection terminal (7) is bonded onto the pad electrode part (14) above the supporting substrate (2) such that at least the piezoelectric thin film (6) in the multilayer film (3) is not present below the pad electrode part (14).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à onde élastique qui n'est pas sensible à l'apparition de fissures ou à la séparation d'un film mince piézoélectrique. L’invention porte sur un dispositif à onde élastique (1) comprenant : un film multicouche (3), qui est obtenu par stratification d'une pluralité de films incluant un film mince piézoélectrique (6), est stratifié sur un substrat de support (2) ; une électrode de Transducteur Interdigité (IDT) (11) est prévue sur une surface du film mince piézoélectrique (6) ; une électrode de câblage (12) est connectée à l'électrode IDT (11) ; l'électrode de câblage (12) possède une partie d'électrode de sortie (13) et une partie d'électrode plate (14) ; une borne de connexion externe (7) est positionnée au-dessus de la partie d'électrode plate (14) ; la borne de connexion externe (7) est connectée électriquement à l'électrode plate (14) ; et la borne de connexion externe (7) est collée sur la partie d'électrode plate (14) au-dessus du substrat de support (2) de telle sorte qu'au moins le film mince piézoélectrique (6) dans le film multicouche (3) n'est pas présent au-dessous de la partie d'électrode plate (14).
(JA) 圧電薄膜の割れや剥がれが生じ難い弾性波装置を提供する。 支持基板2上に、圧電薄膜6を含む複数の膜を積層してなる積層膜3が積層されており、IDT電極11が圧電薄膜6の一方面に設けられており、IDT電極11に配線電極12が接続されており、配線電極12が引き出し電極部13とパッド電極部14とを有し、パッド電極部14の上方に外部接続端子7が位置しており、外部接続端子7がパッド電極部14に電気的に接続されており、積層膜3の内少なくとも圧電薄膜6がパッド電極部14の下方には存在しないように、支持基板2上においてパッド電極部14上に外部接続端子7が接合されている、弾性波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)