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1. (WO2015098671) FILM STRATIFIÉ ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FLEXIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098671    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083495
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 11.12.2014
CIB :
B32B 27/06 (2006.01), B32B 27/16 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/507 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : YAMASHITA, Yasuhiro; (JP).
ITO, Yutaka; (JP).
NAKAJIMA, Hideaki; (JP)
Mandataire : NAKAYAMA, Tohru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-268640 26.12.2013 JP
Titre (EN) LAMINATE FILM AND FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE
(FR) FILM STRATIFIÉ ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FLEXIBLE
(JA) 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a laminate film having a flexible substrate, and at least one thin film layer formed upon at least one surface of the substrate, wherein, of the thin film layers, at least one layer satisfies both the following conditions (i) and (ii): (i) the layer contains silicon atoms (Si), oxygen atoms (O), and nitrogen atoms (N); and (ii) when X-ray photoelectron spectroscopic measurement is performed on a surface of the thin film layer, the atomic ratio of carbon atoms to silicon atoms calculated from a wide-scan spectrum satisfies the condition represented by formula (1): 0 < C/Si ≤ 0.2.
(FR)La présente invention concerne un film stratifié qui est un substrat flexible et au moins une couche de film mince qui est formée sur au moins une surface du substrat, parmi les couches de film mince, au moins une couche répond aux deux conditions (i) et (ii) ci-dessous : (i) la couche contient des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O), et des atomes d'azote (N) ; (ii) lorsqu'une mesure spectroscopique de photoélectrons induits par rayons X est réalisée sur une surface de la couche de film mince, le rapport atomique des atomes de carbone par rapport aux atomes de silicium calculé à partir d'un spectre de balayage répond à la condition représentée par la formule ci-dessous (1): 0 < C/Si ≤ 0,2.
(JA) 可とう性基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜層とを有する積層フィルムであって、 前記薄膜層のうち、少なくとも1層が下記条件(i)および(ii): (i)珪素原子(Si)、酸素原子(O)および窒素原子(N)を含有すること、 (ii)薄膜層の表面に対してX線光電子分光測定を行った場合、ワイドスキャンスペクトルから算出 した珪素原子に対する炭素原子の原子数比が下記式(1): 0<C/Si≦0.2 (1) で表される条件を満たすこと、 を全て満たす積層フィルム。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)