WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015098604) TRANSISTOR ORGANIQUE, COMPOSÉ, MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES NON ÉLECTROLUMINESCENTS, MATÉRIAU POUR TRANSISTORS ORGANIQUES, SOLUTION DE REVÊTEMENT POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES NON ÉLECTROLUMINESCENTS ET FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES NON ÉLECTROLUMINESCENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098604    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083194
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 16.12.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.04.2015    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), C07D 333/18 (2006.01), C07D 487/04 (2006.01), C07D 493/04 (2006.01), C07D 495/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : YOUFU Katsuyuki; (JP).
HIRAI Yuki; (JP).
MASUI Kensuke; (JP)
Mandataire : SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-265910 24.12.2013 JP
Titre (EN) ORGANIC TRANSISTOR, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES, MATERIAL FOR ORGANIC TRANSISTORS, COATING SOLUTION FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE, COMPOSÉ, MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES NON ÉLECTROLUMINESCENTS, MATÉRIAU POUR TRANSISTORS ORGANIQUES, SOLUTION DE REVÊTEMENT POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES NON ÉLECTROLUMINESCENTS ET FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES NON ÉLECTROLUMINESCENTS
(JA) 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide: a compound which has high solubility in an organic solvent and increases the carrier mobility if used in a semiconductor active layer of an organic transistor; and an organic transistor which uses this compound. The present invention provides a compound represented by formula (AA) and an organic transistor which uses this compound in a semiconductor active layer. (In the formula, each of X1 and X2 represents NR13, an O atom or an S atom; A1 represents CR7 or an N atom; A2 represents CR8 or an N atom; R13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an acyl group; each of R1-R8 independently represents a hydrogen atom or a substituent, and at least one of the R1-R8 moieties represents a substituent represented by -L-R; L represents a divalent linking group having a specific structure; and R represents an alkyl group, a cyano group, a vinyl group, an ethynyl group, an oxyethylene group, an oligooxyethylene group wherein the repetition number (v) of oxyethylene groups is 2 or more, a siloxane group, an oligosiloxane group wherein the number of silicon atoms is 2 or more, or a trialkylsilyl group.)
(FR)La présente invention concerne : un composé fortement soluble dans un solvant organique et augmentant la mobilité des porteurs de charge lorsqu'il est utilisé dans une couche active semi-conductrice d'un transistor organique; et un transistor organique qui utilise ce composé. La présente invention concerne un composé représenté par la formule (AA) et un transistor organique qui utilise ce composé dans une couche active semi-conductrice. (Dans la formule, chacun parmi X1 et X2 représente NR13, un atome O ou un atome S; A1 représente CR7 ou un atome N; A2 représente CR8 ou un atome N; R13 représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle ou un groupe acyle; chacun parmi R1 à R8 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un substituant, et au moins un fragment parmi R1 à R8 représente un substituant représenté par -L-R; L représente un groupe liant divalent possédant une structure spécifique; et R représente un groupe alkyle, un groupe cyano, un groupe vinyle, un groupe éthynyle, un groupe oxyéthylène, un groupe oligo-oxyéthylène dans lequel le nombre de répétitions (v) des groupes oxyéthylène est supérieur ou égal à 2, un groupe siloxane, un groupe oligosiloxane dans lequel le nombre d'atomes de silicium est supérieur ou égal à 2, ou un groupe trialkylsilyle).
(JA) 本発明は、有機トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物及びこの化合物を用いた有機トランジスタを提供することを課題とする。 本発明は、下記の式で表される化合物及びこの化合物を半導体活性層に含む有機トランジスタである。(式中、XおよびXはNR13、O原子またはS原子;AはCRまたはN原子;AはCRまたはN原子;R13は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアシル基;R~Rはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R~Rのうち少なくとも1つが-L-Rで表される置換基;Lは特定構造の2価の連結基;Rはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいはトリアルキルシリル基である。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)