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1. (WO2015098379) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE CONCEPTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098379    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/080706
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 20.11.2014
CIB :
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585 (JP)
Inventeurs : IWATA Kotaro; (JP).
TANAKA Kunimasa; (JP)
Mandataire : SANO PATENT OFFICE; 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-269647 26.12.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DESIGN METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE CONCEPTION
(JA) 半導体装置およびその設計方法
Abrégé : front page image
(EN) This semiconductor device (10) has a heat source element (HSE) and a thermosensor element (TE) on a semiconductor chip (SCH). The profile of the heat source element (HSE) in plan view is recessed, and the depth (y1) of the recessed space (SP) is set to a size from 0.75 to 0.25 times that of the total length (y0). The center part (Tc) of the thermosensor element (TE) is situated in proximity to one side of a linking area (hse3), and is positioned in the space (SP) in such a way that length (y3) is shorter than length (x31a) and length (x31b). In so doing, heat source element temperature detection sensitivity and efficient positioning of the semiconductor elements can be achieved.
(FR) La présente invention concerne un dispositif (10) à semi-conducteurs ayant un élément de source de chaleur (HSE) et un élément de capteur thermique (TE) sur une micro-plaquette semi-conductrice (SCH). Le profil de l'élément de source de chaleur (HSE) dans une vue en plan est en retrait et la profondeur (y1) de l'espace en retrait (SP) est définie sur une taille comprise entre 0,75 et 0,25 fois celle de la longueur totale (y0). La partie centrale (Tc) de l'élément (TE) de capteur thermique est située à proximité d'un côté d'une zone (hse3) de liaison et elle est positionnée dans l'espace (SP) de telle manière que la longueur (y3) soit inférieure à la longueur (x31a) et à la longueur (x31b). Ce faisant, on peut obtenir une sensibilité de détection de la température de l'élément de source de chaleur et le positionnement efficace des éléments à semi-conducteurs.
(JA) 半導体装置10は、半導体チッップSCHに熱源素子HSEと感温素子TEを有する。熱源素子HSEの平面視形状は凹型を成し、凹字状の空間部SPの奥行きy1を全体の長さのy0の0.75倍から0.25倍の大きさに設定し、感温素子TEの中心部Tcを連結領域hse3の一辺の近傍に設け、長さy3が長さx31a,長さx31bよりも短くなるように空間部SPに配置する。これにより、熱源素子の温度検出感度および半導体素子の効率的な配置が実現できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)