WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015098335) PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR UN ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET DISPOSITIF DE COMMANDE POUR L'ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098335    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/080008
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 13.11.2014
CIB :
G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventeurs : Kanai Shun; (JP).
Matsukura Fumihiro; (JP).
Ohno Hideo; (JP).
Yamanouchi Michihiko; (JP).
Ikeda Shoji; (JP).
Sato Hideo; (JP)
Mandataire : SUDA Atsushi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-272703 27.12.2013 JP
Titre (EN) CONTROL METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND CONTROL DEVICE FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR UN ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET DISPOSITIF DE COMMANDE POUR L'ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果素子の制御方法および磁気抵抗効果素子の制御装置
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a control method for a magnetoresistance effect element and a control device for the magnetoresistance effect element in which write speed is faster, and power consumption is lower, than the spin injection magnetization reversal method, for which controllability is high, and which allows performing stable magnetization reversal operation. [Solution] When the magnetization direction of a second magnetic layer (12) is in a placement that is nearly parallel with respect to the magnetization direction of a first magnetic layer (11), a first voltage is applied to between the first magnetic layer (11) and the second magnetic layer (12) so as to reverse the magnetization direction of the second magnetic layer (12) by modifying the direction of the magnetic easy axis thereof, and subsequently, a second voltage is applied so that current flows from the first magnetic layer (11) toward the second magnetic layer (12). Similarly, when the magnetization direction of the second magnetic layer (12) is in a placement that is nearly antiparallel with respect to the magnetization direction of the first magnetic layer (11), a third voltage is applied to between the first magnetic layer (11) and the second magnetic layer (12), and subsequently, a fourth voltage is applied so that current flows from the second magnetic layer (12) toward the first magnetic layer (11).
(FR)L'invention a pour but de proposer un procédé de commande pour un élément à effet de magnétorésistance et un dispositif de commande pour l'élément à effet de magnétorésistance, dans lesquels la vitesse d'écriture est plus rapide, et la consommation d'énergie est plus faible, que le procédé d'inversion de magnétisation d'injection de spin, pour lequel la facilité de commande est élevée, et qui permet de réaliser une opération d'inversion de magnétisation stable. À cet effet, selon l'invention, lorsque la direction de magnétisation d'une seconde couche magnétique (12) est dans un positionnement qui est presque parallèle à la direction de magnétisation d'une première couche magnétique (11), une première tension est appliquée entre la première couche magnétique (11) et la seconde couche magnétique (12) de façon à inverser la direction de magnétisation de la seconde couche magnétique (12) par modification de la direction de son axe facile magnétique, et ensuite, une deuxième tension est appliquée de telle sorte qu'un courant circule de la première couche magnétique (11) vers la seconde couche magnétique (12). De manière similaire, lorsque la direction de magnétisation de la seconde couche magnétique (12) est dans un positionnement qui est presque antiparallèle à la direction de magnétisation de la première couche magnétique (11), une troisième tension est appliquée entre la première couche magnétique (11) et la seconde couche magnétique (12), et ensuite, une quatrième tension est appliquée de telle sorte qu'un courant circule de la seconde couche magnétique (12) vers la première couche magnétique (11).
(JA)【課題】スピン注入磁化反転方式よりも書き込み速度が速く低消費電力であると同時に、制御性が高く安定した磁化反転操作を行うことができる磁気抵抗効果素子の制御方法および磁気抵抗効果素子の制御装置を提供する。 【解決手段】第2の磁性層12の磁化方向が第1の磁性層11の磁化方向に対して平行に近い配置であるとき、第2の磁性層12の磁化容易軸の方向を変化させることにより磁化方向を反転させるよう、第1の磁性層11と第2の磁性層12との間に第1の電圧を印加した後、第1の磁性層11から第2の磁性層12に向かって電流が流れるよう、第2の電圧を印加する。同様に、第2の磁性層12の磁化方向が第1の磁性層11の磁化方向に対して反平行に近い配置であるとき、第1の磁性層11と第2の磁性層12との間に第3の電圧を印加した後、第2の磁性層12から第1の磁性層11に向かって電流が流れるよう、第4の電圧を印加する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)