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1. (WO2015098283) APPAREIL POUR FABRIQUER UNE TRANCHE ÉPITAXIALE SIC ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UNE TRANCHE ÉPITAXIALE SIC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098283    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/078937
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 30.10.2014
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
Inventeurs : NORIMATSU Jun; (JP).
MIYASAKA Akira; (JP).
KAGESHIMA Yoshiaki; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-266010 24.12.2013 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR PRODUCING SIC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SIC EPITAXIAL WAFER
(FR) APPAREIL POUR FABRIQUER UNE TRANCHE ÉPITAXIALE SIC ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UNE TRANCHE ÉPITAXIALE SIC
(JA) SiCエピタキシャルウェハの製造装置およびSiCエピタキシャルウェハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of an apparatus for producing an SiC epitaxial wafer according to the present invention is to provide: an apparatus for producing an SiC epitaxial wafer, which achieves excellent productivity and production quality and is capable of making the in-plane carrier concentration of a wafer uniform by a simple configuration; and an SiC epitaxial wafer. The apparatus for producing an SiC epitaxial wafer according to the present invention is characterized by comprising: a mounting plate (2) that has a recess-like container part (23); a satellite (3) that is arranged within the recess-like container part (23) and has an upper surface on which an SiC substrate is mounted; and a carbon member that is arranged within the recess-like container part (23) such that the carbon member is positioned below the SiC substrate without having a contact with the SiC substrate.
(FR)Le but d’un appareil pour fabriquer une tranche épitaxiale SiC selon la présente invention est de fournir : un appareil pour fabriquer une tranche épitaxiale SiC, qui obtient d’excellentes productivité et qualité de production et est configuré pour rendre uniforme la concentration de porteurs dans le plan d’une tranche de semi-conducteur par une configuration simple ; et une tranche épitaxiale SiC. L’appareil pour fabriquer une tranche épitaxiale SiC selon la présente invention est caractérisé par le fait qu’il comprend : une plaque de montage (2) qui possède une partie de conteneur de type à renfoncement (23) ; un satellite (3) qui est disposé à l’intérieur de la partie de conteneur de type à renfoncement (23) et possède une surface supérieure sur laquelle un substrat SiC est monté ; et un élément en carbone qui est disposé à l’intérieur de la partie de conteneur de type à renfoncement (23) de telle sorte que l’élément en carbone est positionné sous le substrat SiC sans avoir un contact avec le substrat SiC.
(JA)本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造装置は、簡便な構成でウェハ面内のキャリア濃度を均一化することができ、製造品質及び生産性に優れたSiCエピタキシャルウェハの製造装置およびSiCエピタキシャルウェハを提供することを目的とする。本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造装置は、凹状収容部を有する搭載プレート(2)と、前記凹状収容部(23)内に配置され、上面にSiC基板が載置されるサテライト(3)と、前記凹状収容部(23)内に、SiC基板より下方の位置であってSiC基板に接触しない位置に配置されたカーボン部材と、を備えたことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)