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1. (WO2015098237) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE VERTICAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098237    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/077090
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 09.10.2014
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP).
DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661 (JP)
Inventeurs : AOI Sachiko; (JP).
WATANABE Yukihiko; (JP).
SAITO Jun; (JP).
SUZUKI Naohiro; (JP)
Mandataire : KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho,Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-271576 27.12.2013 JP
Titre (EN) VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE VERTICAL
(JA) 縦型半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To increase the voltage tolerance of a peripheral region (6) of a semiconductor device (2). [Solution] In the peripheral region (6), a reduced surface field region (32), guard rings (30), and the like are formed at a position facing the surface of a semiconductor substrate. At an intermediate depth in a drift region (14), formed is a floating region (40) having a conductivity type opposite that of the drift region (14). The floating region (40) continuously extends from a position inward from the innermost circumferential guard ring (30a) towards the outer circumference (8) of the semiconductor substrate. A depletion layer extends from the boundary between the reduced surface field region (32) and the drift region (14), and a depletion layer extends from the boundary between the drift region (14) and the floating region (40). Due to this configuration, the voltage tolerance at the peripheral region (6) is improved.
(FR)L'invention vise à accroître la tolérance de tension d'une région périphérique (6) d'un dispositif à semi-conducteur (2). A cet effet, dans la région périphérique (6), une région de champ (32) à surface réduite, des anneaux de garde (30) et analogue sont formés dans une position faisant face à la surface d'un substrat de semi-conducteur. A une profondeur intermédiaire d'une région de dérive (14), une région flottante (40) formée présente un type de conductivité opposé à celui de la région de dérive (14). La région flottante (40) s'étend en continu depuis une position orientée vers l'intérieur à partir de l'anneau de garde (30a) circonférentiel le plus intérieur, en direction de la circonférence extérieure (8) du substrat de semi-conducteur. Une couche d'appauvrissement s'étend depuis la frontière entre la région de champ (32) à surface réduite et la région de dérive (14), et une couche d'appauvrissement s'étend depuis la frontière entre la région de dérive (14) et la région flottante (40). Cette configuration permet d'améliorer la tolérance de tension dans la région périphérique (6).
(JA)【課題】半導体装置2の周辺領域6の耐圧を高める。 【解決手段】周辺領域6では、半導体基板の表面に臨む位置に、リサーフ領域32とガードリング30・・を形成し、さらにドリフト領域14の中間深さにドリフト領域14と反対導電型のフローティング領域40を形成する。フローティング領域40は、最内周のガードリング30aより内側の位置から半導体基板の外周8に向けて連続的に延びている。リサーフ領域32とドリフト領域14の界面から空乏層が広がるとともにドリフト領域14とフローティング領域40の界面からも空乏層が広がり、周辺領域6での耐圧が向上する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)