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1. (WO2015098208) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098208    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/074795
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 19.09.2014
CIB :
H01L 33/24 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-6-1, Ote-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150 (JP)
Inventeurs : TSUKIHARA,Masashi; (JP).
NAKAMURA,Kaoru; (JP)
Mandataire : UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-270268 26.12.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Achieved is a semiconductor light emitting element which is suppressed in the occurrence of leakage current and has enhanced luminous efficiency. A method for manufacturing a semiconductor light emitting element according to the present invention comprises: a step (a) for forming an n-type semiconductor layer on a substrate; a step (b) for forming an active layer on the n-type semiconductor layer by alternately laminating light emitting layers and blocking layers on the n-type semiconductor layer; and a step (c) for forming a p-type semiconductor layer on the active layer by supplying a p-type dopant. In the step (b), the final blocking layer that is closest to the p-type semiconductor layer among the blocking layers is formed to have a thickness that is larger than the diameter of a recess which is formed within the final blocking layer.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs pour lequel on peut supprimer l'apparition d'un courant de fuite et qui présente une efficacité lumineuse améliorée. Un procédé permettant de fabriquer un élément électroluminescent à semi-conducteurs selon la présente invention comprend : une étape (a) consistant à former une couche de semi-conducteur de type n sur un substrat ; une étape (b) consistant à former une couche active sur la couche de semi-conducteur de type n par stratification en alternance des couches électroluminescentes et blocage des couches sur la couche de semi-conducteur de type n ; et une étape (c) consistant à former une couche de semi-conducteur de type p sur la couche active par fourniture d'un dopant de type p. Au cours de l'étape (b), la couche de blocage finale qui est la plus proche de la couche de semi-conducteur de type p parmi les couches de blocage, est formée de sorte à présenter une épaisseur qui est plus importante que le diamètre d'un évidement qui est formé dans la couche de blocage finale.
(JA) リーク電流の発生を抑止して発光効率を高めた半導体発光素子を実現する。 本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上にn型半導体層を形成する工程(a)と、n型半導体層上に発光層及び障壁層を交互に積層して活性層を形成する工程(b)と、p型のドーパントを供給して活性層上にp型半導体層を形成する工程(c)とを有し、工程(b)において、障壁層のうちp型半導体層に最も近く位置する最終障壁層を、当該最終障壁層内に形成される凹部の直径よりも厚膜で形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)