WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015098191) BISMUTH À FAIBLE ÉMISSION DE RAYONS Α ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE BISMUTH À FAIBLE ÉMISSION DE RAYONS Α
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098191    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/073334
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 04.09.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.01.2015    
CIB :
C25C 1/22 (2006.01), C22B 3/44 (2006.01), C22B 30/06 (2006.01), C22C 12/00 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : HOSOKAWA Yu; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-264945 24.12.2013 JP
Titre (EN) LOW-Α-EMISSION BISMUTH AND PROCESS FOR PRODUCING LOW-Α-EMISSION BISMUTH
(FR) BISMUTH À FAIBLE ÉMISSION DE RAYONS Α ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE BISMUTH À FAIBLE ÉMISSION DE RAYONS Α
(JA) 低α線ビスマス及び低α線ビスマスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Bismuth characterized by having an α-ray emission of 0.007 cph/cm2 or less; and a process for producing low-α-emission bismuth, characterized by using bismuth having an α-ray emission of 0.15 cph/cm2 or less as a starting material, electrolytically producing a bismuth nitrate solution having a bismuth concentration of 5-50 g/L and a pH of 0.0-0.4, adding a 20-60% aqueous solution of sodium hydroxide to the solution to yield a sediment including polonium, separating the resultant mixture into a sediment (1) and a filtrate (1) by filtration, and then subjecting the filtrate (1) to electrowinning to recover the bismuth. Since recent semiconductor devices have a heightened density and an increased capacity, the risks that software errors occur are increasing due to the influence of α rays from materials present around the semiconductor chips. In particular, the solder materials to be used in the close vicinity to semiconductor devices are strongly desired to have a higher purity, and materials reduced in α rays are also desired. Thus, the present invention addresses the problem of obtaining high-purity bismuth which is reduced in α-ray emission and is usable as the demanded materials.
(FR)L'invention porte sur du bismuth caractérisé en ce qu'il a une émission de rayons α inférieure ou égale à 0,007 cph/cm2; et sur un procédé pour la production de bismuth à faible émission de rayons α, caractérisé par l'utilisation de bismuth ayant une émission de rayons α inférieure ou égale à 0,15 cph/cm2 en tant que matière de départ, la production par voie électrolytique d'une solution de nitrate de bismuth ayant une concentration en bismuth de 5 à 50 g/l et un pH de 0,0 à 0,4, l'ajout à la solution d'une solution aqueuse d'hydroxyde de sodium à 20 à 60 % pour produire un précipité comprenant du polonium, la séparation par filtration du mélange ainsi obtenu en un précipité (1) et un filtrat (1) et ensuite l'opération consistant à soumettre le filtrat (1) à une extraction électrolytique pour récupérer le bismuth. Comme les dispositifs récents à semi-conducteur ont une densité accrue et une capacité accrue, les risques que des erreurs de logiciel surviennent sont accrus en raison de l'influence de rayons α provenant de matériaux présents autour des puces à semi-conducteur. En particulier, il est fortement souhaité que les matériaux de soudure à utiliser au voisinage proche de dispositifs à semi-conducteur aient une pureté plus élevée et des matériaux dont l'émission de rayons α est réduite sont également souhaités. Ainsi, la présente invention permet de résoudre le problème d'obtention de bismuth de haute pureté dont l'émission de rayons α est réduite et qui est utilisable pour les matériaux demandés.
(JA)α線量が0.007cph/cm以下であることを特徴とするビスマス。α線量0.15cph/cm以下のビスマスを原料とし、電気分解によりビスマス濃度5~50g/L、pH0.0~0.4の硝酸ビスマス溶液を作製し、この溶液に20~60%の水酸化ナトリウム水溶液を添加してポロニウムを巻き込んだ沈殿物を生じさせ、これをろ過して沈殿物1とろ液1に分離し、次にろ液1を電解採取してビスマスを回収することを特徴とする低α線ビスマスの製造方法。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきている。特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、要求される材料に適応できるビスマスのα線量を低減させた高純度ビスマスを得ることを課題とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)