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1. (WO2015098169) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098169    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/070522
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 04.08.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.02.2015    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
SAITO Jun [JP/JP]; (JP) (US only).
FUJIWARA Hirokazu [JP/JP]; (JP) (US only).
IKEDA Tomoharu [JP/JP]; (JP) (US only).
WATANABE Yukihiko [JP/JP]; (JP) (US only).
YAMAMOTO Toshimasa [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : SAITO Jun; (JP).
FUJIWARA Hirokazu; (JP).
IKEDA Tomoharu; (JP).
WATANABE Yukihiko; (JP).
YAMAMOTO Toshimasa; (JP)
Mandataire : KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho,Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-269268 26.12.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a technology that makes a depletion layer extend into an outer region more rapidly, making a higher breakdown voltage possible. This semiconductor device has an element region in which an insulated-gate switching element is formed and an outer region. A first trench and a second trench laid out at a distance from said first trench are formed in the surface of a semiconductor substrate within the aforementioned outer region. Insulating films are formed inside the first and second trenches. A second-conductivity-type fourth region is formed so as to extend from the bottom of the first trench to the bottom of the second trench. A first-conductivity-type fifth region that is contiguous with a third region is formed below said fourth region.
(FR)L'invention concerne une technologie qui permet à une couche de déplétion de s'étendre plus rapidement dans une région externe, ce qui permet une tension de claquage plus élevée. Ce dispositif à semi-conducteurs comporte une région d'élément dans laquelle est formé un élément de commutation de grille isolée, et une région externe. Une première tranchée et une seconde tranchée agencée à une certaine distance de ladite première tranchée sont formées dans la surface d'un substrat semi-conducteur dans la région externe susmentionnée. Des films isolants sont formés dans les première et seconde tranchées. Une quatrième région du second type de conductivité est formée de sorte à s'étendre depuis le fond de la première tranchée jusqu'au fond de la seconde tranchée. Une cinquième région du premier type de conductivité qui est contigüe à une troisième région, est formée sous ladite quatrième région.
(JA) 外周領域内により高速で空乏層を伸展させることで、より高い耐圧を実現可能な技術を提供する。半導体装置は、絶縁ゲート型スイッチング素子が形成されている素子領域と外周領域を有している。外周領域内の半導体基板の表面に、第1トレンチと、第1トレンチから間隔を隔てて配置されている第2トレンチが形成されている。第1トレンチと第2トレンチ内に、絶縁膜が形成されている。第1トレンチの底面から第2トレンチの底面に跨って延びる第2導電型の第4領域が形成されている。第4領域の下側に、第3領域から連続する第1導電型の第5領域が形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)