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1. (WO2015098146) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098146    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/064996
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 05.06.2014
CIB :
H02M 7/48 (2007.01), H02M 7/49 (2007.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : JIMICHI Takushi; (JP).
KOYANAGI Kimiyuki; (JP)
Mandataire : MURAKAMI Keigo; 35-8, Minamimukonoso 3-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 6610033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-264872 24.12.2013 JP
Titre (EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
Abrégé : front page image
(EN)A power conversion device has phase arms in which one or more converter cells are connected in series between AC terminals (U, V, W) and DC terminals (P, N). In the power conversion device, at least one of the converter cells is a first converter cell (10) in which an energy storage element (29), a first leg (Leg A), and a second leg (Leg B) are connected in parallel, said first leg having semiconductor switching elements (21s, 22s) constituting respective upper and lower arms, said second leg having a diode (23) constituting one of the upper and lower arms and a semiconductor switching element (24s) constituting the other one thereof.
(FR)Dispositif de conversion de puissance doté de bras de phase dans lesquels une ou plusieurs cellules de convertisseur sont reliées en série entre des bornes à c.a. (U, V, W) et des bornes à c.c. (P, N). Dans le dispositif de conversion de puissance, au moins une des cellules de convertisseur est une première cellule (10) de convertisseur dans laquelle un élément (29) de stockage d'énergie, un premier tronçon (tronçon A) et un deuxième tronçon (tronçon B) sont reliés en parallèle, ledit premier tronçon comprenant des éléments (21s, 22s) de commutation à semiconducteurs constituant des bras respectifs supérieur et inférieur, ledit deuxième tronçon comprenant une diode (23) constituant un des bras supérieur et inférieur et un élément (24s) de commutation à semiconducteur constituant l'autre desdits bras.
(JA)交流端子U、V、Wと直流端子P、Nとの間に、1台以上の変換器セルが直列に接続された相アームを有し、変換器セルの少なくとも1台は、エネルギー蓄積要素(29)と、上下アーム共に半導体スイッチング素子(21s、22s)を有する第1のレグ(LegA)と、上下アームのどちらか一方はダイオード(23)で他方は半導体スイッチング素子(24s)を有する第2のレグ(LegB)とが並列接続された第1の変換器セル(10)である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)