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1. (WO2015098073) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098073    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/006359
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 22.12.2014
CIB :
H01L 27/144 (2006.01), G01N 21/3581 (2014.01), H01L 31/108 (2006.01), H01L 31/112 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 27/07 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP)
Inventeurs : SEKIGUCHI, Ryota; (JP).
OUCHI, Toshihiko; (JP)
Mandataire : ABE, Takuma; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-267156 25.12.2013 JP
2014-245236 03.12.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a silicon substrate and a detection element and p-type and n-type MOS transistors, which are arranged on the silicon substrate, wherein the detection element includes a semiconductor layer, electrodes, and a Schottkey barrier disposed therebetween, the semiconductor layer is arranged just above a layer having the same composition and height as those of an impurity diffusion layer in the source or drain of the p-type or n-type MOS transistor, a region, in the silicon substrate, having the same composition and height as those of a channel region, in the silicon substrate, just below a gate oxide film of the p-type MOS transistor or the n-type MOS transistor, or a region, in the silicon substrate, having the same composition and height as those of a region just below a field oxide film disposed between the p-type and the n-type MOS transistor.
(FR)L’invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un substrat au silicium et un élément de détection et des transistors MOS de type p et de type n, qui sont disposés sur le substrat au silicium, l’élément de détection comprenant une couche de semi-conducteur, des électrodes, et une barrière de Schottky disposée entre ces dernières, la couche de semi-conducteur étant disposée juste au-dessus d’une couche ayant les mêmes composition et hauteur que celles d’une couche de diffusion d’impuretés dans la source ou le drain du transistor MOS de type p ou de type n, une région, dans le substrat au silicium, ayant les mêmes composition et hauteur que celles d’une région de canal, dans le substrat au silicium, juste en dessous d’un film d’oxyde de grille du transistor MOS de type p ou du transistor MOS de type n, ou une région, dans le substrat au silicium, ayant les mêmes composition et hauteur que celles d’une région juste en dessous d’un film d’oxyde de champ disposé entre le transistor MOS de type p et le transistor MOS de type n.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)