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1. (WO2015098027) ÉLÉMENT DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098027    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/006211
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 12.12.2014
CIB :
G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/134 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventeurs : TAKAHASHI, Morio; (JP)
Mandataire : SHIMOSAKA, Naoki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-267193 25.12.2013 JP
Titre (EN) OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT DE GUIDE D'ONDES OPTIQUE
(JA) 光導波路素子、及び、光導波路素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides an optical waveguide element and a method for manufacturing an optical waveguide element that make it possible, while reducing the cost of manufacturing said optical waveguide element, to reliably eliminate stray light that affects primary signal light. Said optical waveguide element is characterized by having a silicon layer and silicon-dioxide layers located above and below said silicon layer. This optical waveguide element is also characterized in that the silicon layer contains a ridge waveguide and an impurity injection region located at least a prescribed distance from said ridge waveguide.
(FR)La présente invention concerne un élément de guide d'ondes optique et un procédé permettant de fabriquer un élément de guide d'ondes optique qui, tout en réduisant le coût de fabrication dudit élément de guide d'ondes optique, permettent d'éliminer de façon fiable la lumière parasite qui affecte une lumière de signal primaire. Ledit élément de guide d'ondes optique est caractérisé par le fait qu'il comporte une couche de silicium et des couches de dioxyde de silicium agencées au-dessus et en dessous de ladite couche de silicium. Cet élément de guide d'ondes optique est également caractérisé en ce que la couche de silicium contient un guide d'ondes à nervures et une région d'injection d'impuretés agencée au moins à une distance prescrite dudit guide d'ondes à nervures.
(JA) 製造コストを抑制しつつ、主信号光に影響を及ぼす迷光の除去を確実に実行できる光導波路素子及び光導波路素子の製造方法を提供する。 本発明の光導波路素子は、シリコン層と、シリコン層の上下に配置された二酸化ケイ素層と、を備え、シリコン層は、リッジ型光導波路と、リッジ型光導波路から所定の距離以上離れて配置された不純物注入領域と、を含むことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)