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1. (WO2015097989) PROCÉDÉ DE TRANCHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097989    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/005983
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 01.12.2014
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 27/06 (2006.01), B24B 57/02 (2006.01), B28D 5/04 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : KITAGAWA, Koji; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-269043 26.12.2013 JP
Titre (EN) SLICING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRANCHAGE
(JA) スライス方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a slicing method wherein a wire saw is used; and a coolant is supplied to a wire wound around multiple wire guides, and a silicon ingot is pressed against the wire to cut the silicon ingot while the wire is made to move, thereby obtaining multiple sliced wafers. The copper concentration in the coolant supplied to the wire is less than or equal to 80ppm. Thus, a slicing method is provided which involves using a wire saw to stably obtain high-purity silicon wafers with reduced copper contamination.
(FR)La présente invention concerne un procédé de tranchage dans lequel une scie à fil est utilisée; un liquide de refroidissement est apporté à un fil enroulé autour de multiples guides-fil, et un lingot de silicium est poussé contre le fil pour couper le lingot de silicium pendant que le fil est mis en mouvement, ce qui permet d'obtenir de multiples plaquettes tranchées. La concentration en cuivre dans le liquide de refroidissement apporté au fil est inférieure ou égale à 80 ppm. Un procédé de tranchage est ainsi proposé qui consiste à utiliser une scie à fil pour obtenir avec stabilité des plaquettes de silicium de haute pureté à contamination au cuivre réduite.
(JA) 本発明は、ワイヤソーを用い、複数のワイヤガイドに巻掛けされたワイヤに対してクーラントを供給しつつ、前記ワイヤを走行させながら、該ワイヤにシリコンインゴットを押し当てて切断し、複数枚のスライスウェーハを得るスライス方法であって、前記ワイヤへ供給するクーラント中の銅濃度を80ppm以下とするスライス方法を提供する。これにより、ワイヤソーを用いて、銅汚染が低減された高清浄度のシリコンウェーハを安定的に得ることができるスライス方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)