WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015097942) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097942    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/004399
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.08.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.10.2015    
CIB :
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP)
Inventeurs : AKASAKA, Hiroshi; (JP).
IKEDA, Masayoshi; (JP).
KIMURA, Kazuhiro; (JP).
KAMIYA, Yasushi; (JP).
TOYOSATO, Tomohiko; (JP)
Mandataire : OKABE, Yuzuru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-267453 25.12.2013 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板加工方法及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a substrate processing method and a method for producing a semiconductor device with which it becomes possible to amply embed a material within a recess constituting a through hole, a via hole, or the like while also leaving a deposited film along the bottom, side walls, and upper end section of the recess. A substrate processing method according to one embodiment of the present invention comprises: a first irradiation step for irradiating a deposited film that has been formed on an opening section of a recess of a substrate with a particle beam from the direction of a first angle with respect to a substrate in-plane direction, and removing a part of the deposited film in the thickness direction; and, after the first irradiation step, a second irradiation step for radiating a particle beam from the direction of a second angle that is closer to perpendicular with respect to the substrate in-plane direction than the first angle, and removing a part of the remaining deposited film in the thickness direction.
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de traitement de substrat et un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur grâce auxquels il devient possible d'incorporer fortement un matériau dans un évidement constituant un trou traversant, un trou d'interconnexion, ou similaire, tout en laissant également une pellicule déposée le long du fond, des parois latérales et de la section d'extrémité supérieure de l'évidement. Un procédé de traitement de substrat selon un mode de réalisation de la présente invention consiste : en une première étape d'irradiation permettant d'irradier une pellicule déposée qui a été formée sur une section d'ouverture d'un évidement d'un substrat avec un faisceau de particules provenant de la direction d'un premier angle par rapport à une direction dans le plan du substrat, et de retirer une partie de la pellicule déposée dans la direction de l'épaisseur; et, après la première étape d'irradiation, en une seconde étape d'irradiation permettant de projeter un faisceau de particules provenant de la direction d'un second angle qui est plus proche de la perpendiculaire par rapport à la direction dans le plan du substrat que le premier angle, et de retirer une partie de la pellicule déposée restante dans la direction de l'épaisseur.
(JA) 本発明は、スルーホールやビアホール等を構成する凹部の底部、側壁部及び上端部にまで亘って堆積膜を残存させつつも、凹部内に材料を十分に埋め込むことが可能となる、基板加工方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る基板加工方法は、基板の凹部の開口部に形成された堆積膜に、基板面内方向に対して第1の角度の方向から粒子ビームを照射して、堆積膜の厚さ方向の一部を除去する第1の照射工程と、第1の照射工程の後に、第1の角度よりも基板面内方向に対してより垂直に近い第2の角度の方向から粒子ビームを照射して、残存する堆積膜の厚さ方向の一部を除去する第2の照射工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)