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1. (WO2015097836) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097836    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/085030
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.12.2013
CIB :
H02M 7/537 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Déposants : HITACHI INDUSTRIAL EQUIPMENT SYSTEMS CO., LTD. [JP/JP]; 3, Kanda Neribei-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010022 (JP)
Inventeurs : IBORI, Satoshi; (JP).
SASAKI, Yasushi; (JP).
TOMIYAMA, Kiyotaka; (JP)
Mandataire : INOUE, Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POWER CONVERSION DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE CONTROL METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置および電力変換装置の制御方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problems of the increase of leakage current and noise failure induced in a peripheral device, which are attributable to a steep dV/dt because when a power conversion device is constructed using a wide-bandgap semiconductor device, the turn-on speed and turn-off speed are extremely fast. A power conversion device comprises: a converter for converting an AC voltage to a DC voltage; a DC intermediate circuit for smoothing the DC voltage converted by the converter; an inverter for converting the DC voltage smoothed by the DC intermediate circuit to an AC voltage; a gate drive circuit for driving semiconductor switching elements in the inverter; a current detector for detecting current flowing through the power conversion device; and a control circuit for detecting each current component value from the current detected by the current detector and for, based on the detected each current component value or the power factor obtained from the each current component value, changing the gate resistance value of the gate drive circuit.
(FR)La présente invention décrit les problèmes liés à l'augmentation de courant de fuite et de défaillance due au bruit qui sont induits dans un dispositif périphérique, qui peuvent être attribués à un dV/dt brutal du fait que, lorsqu'un dispositif de conversion de puissance est fabriqué avec un dispositif à semi-conducteur à large bande interdite, la vitesse d'activation et la vitesse de désactivation sont extrêmement rapides. Un dispositif de conversion de puissance comprend : un convertisseur destiné à convertir une tension de courant alternatif en une tension de courant continu ; un circuit de courant continu intermédiaire destiné à lisser la tension de courant continu convertie par le convertisseur ; un onduleur destiné à convertir la tension de courant continu lissée par le circuit de courant continu intermédiaire en une tension de courant alternatif ; un circuit de commande de grille destiné à commander des éléments de commutation à semi-conducteur de l'onduleur ; un détecteur de courant destiné à détecter un courant circulant dans le dispositif de conversion de puissance ; et un circuit de commande destiné à détecter chaque valeur de composante de courant du courant détecté par le détecteur de courant et, sur la base de chaque valeur de composante de courant détecté ou du facteur de puissance obtenu à partir de chaque valeur de composante de courant, à faire varier la valeur de résistance de grille du circuit de commande de grille.
(JA) ワイドバンドギャップ半導体素子を用いて電力変換装置を構成した場合、オンスピードおよびオフスピードが極めて速いため、急峻なdV/dtに起因した漏洩電流の増大や周辺機器へのノイズ障害を誘発するという問題がある。 交流電圧を直流電圧に変換する順変換器と、前記順変換器にて変換された直流電圧を平滑する直流中間回路と、前記直流中間回路にて平滑化された直流電圧を交流電圧に変換する逆変換器と、前記逆変換器の半導体スイッチング素子を駆動するゲートドライブ回路と、該電力変換装置を流れる電流を検出する電流検出器と、前記電流検出器にて検出した電流から各電流成分値を検出し、該検出した各電流成分値または該各電流成分値から求めた力率値とに基づき前記ゲートドライブ回路のゲート抵抗値を変える制御回路と、を備える電力変換装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)