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1. (WO2015097766) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097766    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/084553
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 25.12.2013
CIB :
H01L 23/36 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventeurs : TANIE Hisashi; (JP).
IDE Eiichi; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置および半導体製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, inside of a circuit member that is present between a semiconductor chip and an insulating member, a member having a higher heat conductivity and lower heat expansion characteristics than the circuit member is disposed, and the thickness of the circuit member on the semiconductor chip side is set larger than a distance between the insulating member and the member that is disposed inside of the circuit. At that time, a composite material consisting of aluminum and carbon is used as a material for the member disposed inside of the circuit, thereby achieving higher heat conductivity and lower heat expansion than the circuit member.
(FR)Selon la présente invention, dans un élément de circuit qui est présent entre une puce semi-conductrice et un élément isolant, est disposé un élément qui présente une conductivité thermique plus élevée et des caractéristiques de dilatation thermique inférieures que celles de l'élément de circuit et l'épaisseur de l'élément de circuit côté puce semi-conductrice est établie de sorte à être supérieure à une distance entre l'élément isolant et l'élément qui est disposé dans le circuit. A cet instant, un matériau composite qui se compose d'aluminium et de carbone, est utilisé comme matériau pour l'élément disposé dans le circuit, ce qui permet d'obtenir une conductivité thermique plus élevée et une dilatation thermique moindre que celles de l'élément de circuit.
(JA) 半導体チップと絶縁部材の間に在る回路部材の内部に回路部材よりも高熱伝導で低熱膨張な部材を配置し,半導体チップ側に在る回路部材の厚さを回路内部に配置された部材と絶縁部材との距離よりも大きくする。このとき,回路内部に配置された部材には,アルミとカーボンの複合材を用いることで,回路部材よりも高熱伝導で低熱膨張を実現できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)