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1. (WO2015097633) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097633    N° de la demande internationale :    PCT/IB2014/067205
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 22.12.2014
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : MIYAIRI, Hidekazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-269807 26.12.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A novel semiconductor device with a transistor using an oxide semiconductor film, in which a conductive film including Cu is used as a wiring or the like, is provided. The semiconductor device includes a first insulating film, an oxide semiconductor over the first insulating film, a gate electrode overlapping the oxide semiconductor with a gate insulating film positioned there between, a second insulating film in contact with a side surface of the gate electrode, and a third insulating film in contact with a top surface of the gate electrode. The gate electrode includes a Cu-X alloy film (X is Mn, Ni, Cr, Fe, Co, Mo, Ta, Ti, Zr, Mg, Ca, or a mixture of two or more of these elements).
(FR)L'invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteur doté d'un transistor utilisant un film d'oxyde semi-conducteur, dans lequel un film conducteur incluant du Cu est utilisé comme un câblage ou similaire. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier film isolant, un oxyde semi-conducteur sur le premier film isolant, une électrode de grille chevauchant l'oxyde semi-conducteur avec un film isolant de grille positionné entre ces derniers, un deuxième film isolant en contact avec une surface latérale de l'électrode de grille, et un troisième film isolant en contact avec une surface supérieure de l'électrode de grille. L'électrode de grille inclut un film d'alliage Cu-X (X étant Mn, Ni, Cr, Fe, Co, Mo, Ta, Ti, Zr, Mg, Ca ou un mélange de deux de ces éléments ou plus).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)