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1. (WO2015097597) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097597    N° de la demande internationale :    PCT/IB2014/066995
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 17.12.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1345 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
KOEZUKA, Junichi; .
JINTYOU, Masami; .
SHIMA, Yukinori; .
HAMOCHI, Takashi; .
NAKAZAWA, Yasutaka;
Données relatives à la priorité :
2013-271783 27.12.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)To provide a semiconductor device including a transistor in which an oxide semiconductor is used and on-state current is high. In a semiconductor device including a first transistor provided in a driver circuit portion and a second transistor provided in a pixel portion, the first transistor and the second transistor have different structures. Furthermore, the first transistor and the second transistor are transistors having a top-gate structure in which conductive films serving as a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode do not overlap. Furthermore, in an oxide semiconductor film, an impurity element is contained in a region which does not overlap with the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode.
(FR)Le but de l’invention est de fournir un dispositif à semi-conducteurs comprenant un transistor dans lequel un semi-conducteur d’oxyde est utilisé et un courant d’état activé est élevé. Dans un dispositif à semi-conducteurs comprenant un premier transistor situé sur une partie de circuit de pilotage et un second transistor situé sur une partie de pixel, le premier transistor et le second transistor possèdent des structures différentes. De plus, le premier transistor et le second transistor sont des transistors ayant une structure de grille supérieure dans laquelle des films conducteurs servant en tant qu’électrode de grille, électrode de source et électrode de drain ne se chevauchent pas. En outre, dans un film de semi-conducteur d’oxyde, un élément d’impureté est contenu dans une région qui ne se chevauche pas avec l’électrode de grille, l’électrode de source et l’électrode de drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)