WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015097589) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097589    N° de la demande internationale :    PCT/IB2014/066898
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 15.12.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : MIYAIRI, Hidekazu; (JP).
SASAGAWA, Shinya;
Données relatives à la priorité :
2013-269701 26.12.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device that is suitable for miniaturization is provided. A semiconductor device including a first element, a first insulator over the first element, a first barrier film over the first insulator, a first conductor over the first barrier film, a second barrier film over the first conductor, a second insulator over the second barrier film, and a semiconductor over the second insulator is provided. The first conductor is surrounded by the first barrier film and the second barrier film.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui est adapté à la miniaturisation. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs incluant un premier élément, un premier isolant sur le premier élément, un premier film barrière sur le premier isolant, un premier conducteur sur le premier film barrière, un second film barrière sur le premier conducteur, un second isolant sur le second film barrière et un semi-conducteur sur le second isolant. Le premier conducteur est entouré par le premier film barrière et le second film barrière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)