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1. (WO2015097586) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097586    N° de la demande internationale :    PCT/IB2014/066832
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 12.12.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
SHIMOMURA, Akihisa; .
YAMANE, Yasumasa; .
SATO, Yuhei; .
TANAKA, Tetsuhiro; .
TSUBUKU, Masashi; .
TAKEUCHI, Toshihiko; .
TOKUMARU, Ryo; .
ICHIJO, Mitsuhiro; .
TORIUMI, Satoshi; .
OHTSUKI, Takashi; .
ENDO, Toshiya;
Données relatives à la priorité :
2013-267525 25.12.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A change in electrical characteristics is suppressed and reliability in a semiconductor device using a transistor including an oxide semiconductor is improved. The semiconductor device includes an oxide semiconductor film over an insulating surface, an antioxidant film over the insulating surface and the oxide semiconductor film, a pair of electrodes in contact with the antioxidant film, a gate insulating film over the pair of electrodes, and a gate electrode which is over the gate insulating film and overlaps with the oxide semiconductor film. In the antioxidant film, a width of a region overlapping with the pair of electrodes is longer than a width of a region not overlapping with the pair of electrodes.
(FR)L'invention permet de supprimer un changement de caractéristiques électriques et d'améliorer la fiabilité dans un dispositif semi-conducteur utilisant un transistor incluant un semi-conducteur d'oxyde. Le dispositif semi-conducteur inclut une pellicule semi-conductrice d'oxyde au-dessus d'une surface isolante, une pellicule antioxydante au-dessus de la surface isolante et de la pellicule semi-conductrice d'oxyde, une paire d'électrodes en contact avec la pellicule antioxydante, et une pellicule isolante de grille au-dessus de la paire d'électrodes, et une électrode de grille qui est située au-dessus de la pellicule isolante de grille et recouvre la pellicule semi-conductrice d'oxyde. Dans la pellicule antioxydante, une largeur d'une zone recouvrant la paire d'électrodes est plus longue qu'une largeur d'une zone ne recouvrant pas la paire d'électrodes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)