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1. (WO2015097035) TRANSDUCTEUR ACOUSTIQUE MICROÉLECTROMÉCANIQUE AVEC COUCHE INTERMÉDIAIRE RÉFLÉCHISSANT L'ÉNERGIE ACOUSTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/097035    N° de la demande internationale :    PCT/EP2014/078220
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 17.12.2014
CIB :
H04R 7/10 (2006.01), H04R 17/00 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : USOUND GMBH [AT/AT]; Reininghausstrasse 13a 8020 Graz (AT)
Inventeurs : RUSCONI CLERICI, Andrea; (DE).
BOTTONI, Ferruccio; (AT)
Mandataire : BERGMEIER, Werner; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2013 114 826.3 23.12.2013 DE
Titre (DE) MIKRO-ELEKTROMECHANISCHER SCHALLWANDLER MIT SCHALLENERGIEREFLEKTIERENDER ZWISCHENSCHICHT
(EN) MICRO-ELECTROMECHANICAL SOUND TRANSDUCER WITH SOUND ENERGY-REFLECTING INTERLAYER
(FR) TRANSDUCTEUR ACOUSTIQUE MICROÉLECTROMÉCANIQUE AVEC COUCHE INTERMÉDIAIRE RÉFLÉCHISSANT L'ÉNERGIE ACOUSTIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft einen MEMS-Schallwandler sowie einen mit diesem ausgebildeten Chip zum Erzeugen und/oder Erfassen von Schallwellen im hörbaren Wellenlängenspektrum mit einem Trägersubstrat (2), einem in dem Trägersubstrat (2) ausgebildeten Hohlraum (3), der zumindest eine Öffnung (4) aufweist, und einer mehrschichtigen piezoelektrischen Membranstruktur (5), welche die Öffnung (4) des Hohlraums (3) überspannt und in ihrem Randbereich mit dem Trägersubstrat (2) verbunden ist, so dass sie zur Erzeugung und/oder Erfassung von Schallenergie gegenüber dem Trägersubstrat (2) zu schwingen vermag, wobei die Membranstruktur (5) zumindest bereichsweise im Querschnitt eine erste und eine zu dieser beabstandet angeordnete zweite Piezoschicht (8, 9) umfasst. Erfindungsgemäß ist im Bereich zwischen den beiden Piezoschichten (8, 9) eine Zwischenschicht (19) angeordnet, die derart ausgebildet ist, dass mittels ihr Schallenergie in Richtung zumindest einer an die Luft angrenzenden Grenzfläche (17, 18) der Membranstruktur (5) reflektierbar ist.
(EN)The present invention relates to an MEMS sound transducer and to a chip embodied therewith for generating and/or detecting sound waves in the audible wavelength spectrum, comprising a carrier substrate (2), a cavity (3) formed in the carrier substrate (2) and having at least one opening (4), and a multilayered piezoelectric membrane structure (5), which spans the opening (4) of the cavity (3) and is connected to the carrier substrate (2) in the edge region of said structure, such that said structure can oscillate relative to the carrier substrate (2) for the purpose of generating and/or detecting sound energy, wherein the membrane structure (5) at least regionally in cross section comprises a first piezolayer (8) and a second piezolayer (9) arranged at a distance therefrom. According to the invention, an interlayer (19) is arranged in the region between the two piezolayers (8, 9), said interlayer being designed in such a way that sound energy is reflectable by means of said interlayer in the direction of at least one air-adjoining interface (17, 18) of the membrane structure (5).
(FR)La présente invention concerne un transducteur acoustique microélectromécanique (MEMS) ainsi qu'une puce formée avec ledit transducteur et servant à générer et/ou détecter des ondes acoustiques dans le spectre des longueurs d'onde audibles, comprenant un substrat support (2), une cavité (3) formée dans le substrat support (2) et pourvue au moins d'une ouverture (4), et une structure (5) piézoélectrique en forme de membrane à plusieurs couches qui recouvre l'ouverture (4) de la cavité (3) et est reliée sur ses bords au substrat support (2) de sorte qu'elle puisse osciller par rapport au substrat porteur (2) en vue de la génération et/ou de la détection d'énergie acoustique, ladite structure (5) en forme de membrane comportant au moins par secteurs dans sa section transversale une première et une seconde couche piézoélectrique (8, 9) disposée écartée de la première couche. Selon la présente invention, dans le secteur entre les deux couches piézoélectriques (8, 9) est disposée une couche intermédiaire (19) qui est formée de manière telle que par son biais de l'énergie acoustique puisse être réfléchie en direction au moins d'une surface frontière (17, 18) contiguë à l'air de ladite structure (5) en forme de membrane.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)