WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015096731) CAPTEUR MAGNÉTIQUE À PONT PUSH-PULL À GRANDE SENSIBILITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096731    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/094796
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 24.12.2014
CIB :
G01R 33/09 (2006.01)
Déposants : MULTIDIMENSION TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 7 Guangdong Road, Free Trade Zone Zhangjiagang, Jiangsu 215634 (CN)
Inventeurs : DEAK, James Geza; (CN).
LI, Dan; (CN)
Mandataire : SUZHOU CREATOR PATENT & TRADEMARK AGENCY LTD.; No.93 Ganjiang West Road Suzhou, Jiangsu 215002 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310718969.8 24.12.2013 CN
Titre (EN) HIGH-SENSITIVITY PUSH-PULL BRIDGE MAGNETIC SENSOR
(FR) CAPTEUR MAGNÉTIQUE À PONT PUSH-PULL À GRANDE SENSIBILITÉ
(ZH) 一种高灵敏度推挽桥式磁传感器
Abrégé : front page image
(EN)A high-sensitivity push-pull bridge magnetic sensor. The sensor comprises two substrates (20, 21),magnetoresistance sensing elements (22, 42), push-arm flux concentrators (23) and pull-arm flux concentrators (41), wherein the magnetization directions of pinning layers of the magnetoresistance sensing elements (22, 42) on the same one of the substrates (20, 21) are the same, but are opposite to the magnetization directions of the pinning layers of the magnetoresistance sensing elements (22, 42) on the adjacent one of the substrates (20, 21), the magnetoresistance sensing elements (22) on one substrate (20) are electrically connected mutually to form a push arm of a bridge, and the magnetoresistance sensing elements (42) on the other substrate (21) are electrically connected mutually to form a pull arm of the bridge; and the magnetoresistance sensing elements (22, 42) on the push arm and the pull arm are respectively arranged in the gaps between the two adjacent push-arm flux concentrators (23) and the two adjacent pull-arm flux concentrators (41). The sensor can be achieved in three kinds of bridge structures, i.e. a quasi-bridge structure, a half-bridge structure and a full-bridge structure. The sensor has the following advantages of small offset, high sensitivity, high linearity, low noise, etc.
(FR)L'invention concerne un capteur magnétique à pont push-pull à grande sensibilité. Le capteur comporte deux substrats (20, 21), des éléments de détection par magnétorésistance (22, 42), des concentrateurs de flux à branche de type push (23) et des concentrateurs de flux à branche de type pull (41), dans lequel les directions d'aimantation des couches d'épinglage des éléments de détection par magnétorésistance (22, 42) sur le même substrat parmi les substrats (20, 21) sont identiques, mais sont opposées aux directions d'aimantation des couches d'épinglage des éléments de détection par magnétorésistance (22, 42) sur le substrat adjacent parmi les substrats (20, 21), les éléments de détection par magnétorésistance (22) sur un substrat (20) sont mutuellement connectés électriquement pour former une branche de type push du pont, et les éléments de détection par magnétorésistance (42) sur l'autre substrat (21) sont mutuellement connectés électriquement pour former une branche de type pull du pont; et les éléments de détection par magnétorésistance (22, 42) sur la branche de type push et la branche de type pull sont agencés respectivement dans les espaces entre les deux concentrateurs de flux à branche de type push adjacents (23) et les deux concentrateurs de flux à branche de type pull adjacents (41). Le capteur peut être réalisé selon trois types de structures de pont, à savoir une structure de quasi-pont, une structure de demi-pont et une structure de pont complet. Le capteur a les avantages suivants de faible décalage, grande sensibilité, haute linéarité, faible bruit, etc.
(ZH)一种高灵敏度推挽桥式磁传感器,该传感器包括两个基片(20、21)、磁电阻传感元件(22、42)、推臂通量集中器(23)以及挽臂通量集中器(41)。同一基片(20、21)上磁电阻传感元件(22、42)的钉扎层的磁化方向相同,但与相邻基片(20、21)上的磁电阻传感元件(22、42)的钉扎层的磁化方向相反,其中一个基片(20)上的磁电阻传感元件(22)相互电连接构成电桥的推臂,另一个基片(21)上的磁电阻传感元件(42)相互电连接构成电桥的挽臂。推、挽臂上磁电阻传感元件(22、42)分别成列排布于相邻两个推臂通量集中器(23)和相邻两个挽臂通量集中器(41)之间的间隙处。此传感器可在准桥、半桥、全桥这三种电桥结构上得到实现。该传感器具有以下优点:偏移小、灵敏度高、线性度好、噪声小等。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)