WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015096689) SYSTÈME DE COUCHES POUR PHOTOPILES EN COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096689    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/094607
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 23.12.2014
CIB :
H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : BENGBU DESIGN & RESEARCH INSTITUTE FOR GLASS INDUSTRY [CN/CN]; No. 1047 Tushan Road Bengbu, Anhui 233010 (CN)
Inventeurs : PALM, Jorg; (DE).
POHLNER, Stephan; (DE).
HAPP, Thomas; (DE).
DALIBOR, Thomas; (DE).
DIETMUELLER, Roland; (DE).
VERMA, Rajneesh; (DE)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F., Great Eagle Center 23 Harbour Road Wanchai Hong Kong (CN)
Données relatives à la priorité :
13199305.7 23.12.2013 EP
Titre (EN) Layer System for Thin-Film Solar Cells
(FR) SYSTÈME DE COUCHES POUR PHOTOPILES EN COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)A layer system (1) for thin-film solar cells (100), comprising an absorber layer (4), which contains a chalcogenide compound semiconductor, and a buffer layer (5), which is arranged on the absorber layer (4), wherein the buffer layer (5) has a semiconductor material of the formula A xIn yS z, where A is potassium (K) and/or cesium (Cs), with 0.015≤x/ (x+y+z) ≤0.25 and 0.30≤y/ (y+z) ≤0.45.
(FR)L'invention concerne un système de couches (1) pour des photopiles en couches minces (100), comprenant une couche d'absorbeur (4) contenant un semiconducteur à composé chalcogénure, ainsi qu'une couche tampon (5) disposée sur la couche d'absorbeur (4), la couche tampon (5) contenant un matériau semiconducteur de formule A xIn yS z, dans laquelle A représente potassium (K) et/ou césium (Cs), avec 0,015≤x/ (x+y+z) ≤0,25 et 0,30≤y/ (y+z) ≤0,45.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)