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1. (WO2015096644) MATÉRIAU DE MÉMOIRE À COMMUTATION RÉSISTIVE À BASE DE TELLURURE DE GERMANIUM DOPÉ AU MÉTAL, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET COMPOSANT D'UNITÉ À COMMUTATION RÉSISTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096644    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/094008
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 17.12.2014
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang Shenzhen, Guangdong 518129 (CN)
Inventeurs : MIAO, Xiangshui; (CN).
XU, Lei; (CN).
LI, Yi; (CN).
XU, Ronggang; (CN).
ZHAO, Junfeng; (CN)
Données relatives à la priorité :
201310719978.9 23.12.2013 CN
Titre (EN) METAL-DOPED GERMANIUM TELLURIDE-BASED RESISTIVE SWITCHING MEMORY MATERIAL, PREPARATION METHOD, AND RESISTIVE SWITCHING UNIT COMPONENT
(FR) MATÉRIAU DE MÉMOIRE À COMMUTATION RÉSISTIVE À BASE DE TELLURURE DE GERMANIUM DOPÉ AU MÉTAL, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET COMPOSANT D'UNITÉ À COMMUTATION RÉSISTIVE
(ZH) 金属掺杂锗碲基阻变存储材料及制备方法和阻变单元器件
Abrégé : front page image
(EN)Provided in embodiments of the present invention is a metal-doped germanium telluride-based resistive switching memory material, which has a molecular formula of MxGeyTez, where 0 < x ≤ 20, 35 ≤ y ≤ 55, z = 100 − x − y, and M is either Ag, Al, Au, Ti, W, Ta, Fe or Mn. The doping of metal M increases the crystallization temperature of a germanium telluride-based resistive switching memory material, thus increasing the thermal stability of the amorphous state, reducing a disturbance factor of heating to a resistive switching characteristic, solving the problem of loss or disturbance of data storage and increased energy consumption caused by low crystallization temperature of an existing germanium telluride material, and providing increased practical application value. Also provided in the embodiments of the present invention is a preparation method for the metal-doped germanium telluride-based resistive switching memory material. The preparation method has a flexible operation and a wide range of applications. Also provided in the embodiments of the present invention is a resistive switching unit component comprising the metal-doped germanium telluride-based resistive switching memory material.
(FR)Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne un matériau de mémoire à commutation résistive à base de tellurure de germanium dopé au métal, dont la formule moléculaire est MxGeyTez, où 0 < x ≤ 20, 35 ≤ y ≤ 55, z = 100 − x − y, et M est de l'Ag, de l'Al, de l'Au, du Ti, du W, du Ta, du Fe ou du Mn. Le dopage au métal M accroît la température de cristallisation d'un matériau de mémoire à commutation résistive à base de tellurure de germanium, accroissant ainsi la stabilité thermique de l'état amorphe, réduisant un facteur de perturbation du chauffage sur une caractéristique de commutation résistive, résolvant les problèmes de perte ou de perturbation de stockage de données et de consommation d'énergie accrue causés par la faible température de cristallisation d'un matériau au tellurure de germanium existant, et procurant une valeur d'application pratique accrue. Selon les modes de réalisation, la présente invention concerne également un procédé de préparation du matériau de mémoire à commutation résistive à base de tellurure de germanium dopé au métal. Le procédé de préparation présente un fonctionnement flexible et une grande plage d'applications. Selon les modes de réalisation, la présente invention concerne également un composant d'unité à commutation résistive comprenant le matériau de mémoire à commutation résistive à base de tellurure de germanium dopé au métal.
(ZH) 本发明实施例提供了一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料,分子式为MxGeyTez,其中0
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)