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1. (WO2015096627) LIQUIDE DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET SON PROCÉDÉ D'APPLICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096627    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/093672
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 12.12.2014
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), C09G 1/04 (2006.01), C09G 1/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD [CN/CN]; 1st-3rd Floor, Building E, No.889, Bibo Road Pudong New Area, Shanghai 201203 (CN)
Inventeurs : DAI, Chenglong; (CN).
JING, Jianfen; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; LI, Jiaming Room 1506-07, New Huangpu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310729188.9 26.12.2013 CN
Titre (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING LIQUID AND APPLICATION METHOD THEREOF
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET SON PROCÉDÉ D'APPLICATION
(ZH) 一种化学机械抛光液及使用方法
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to the application of a chemical mechanical polishing liquid for silicon polishing. The polishing liquid contains abrasive particles and organic amine. The polishing liquid of present invention has a high silicon-removing speed, can improve the hydrophilic properties of silicon wafer surfaces, and has the advantages of reducing the adsorption of the abrasive particles, and lowering down the haze of the wafer.
(FR)Cette invention concerne l'application d'un liquide de polissage mécano-chimique pour le polissage du silicium. Le liquide de polissage contient des particules abrasives et une amine organique. Le liquide de polissage selon l'invention a une vitesse d'élimination du silicium élevée, peut améliorer les propriétés hydrophiles des surfaces de tranches de silicium, et présente les avantages de réduire l'adsorption des particules abrasives, et d'abaisser le voile de la tranche de silicium.
(ZH)本发明涉及一种化学机械抛光液在硅抛光中的应用,该抛光液含有研磨颗粒、有机胺。本发明的抛光液具有较高的硅去除速率,提高硅晶片表面的亲水性,有利于减少研磨颗粒的吸附,降低雾度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)