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1. (WO2015096605) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMICONDUCTEURS À PUISSANCE DE PORTE DOUBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096605    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/093007
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 04.12.2014
CIB :
H01L 29/768 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : LIANG, Jiajin [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : LIANG, Jiajin; (CN).
NG, Chun Wai; (CN).
SIN, Johnny Kin On; (CN)
Mandataire : SHENZHEN QIANNA PATENT AGENCY LTD; Room 601-605, Unit West, Xincheng Building Shennan Road Central, Futian Shenzhen, Guangdong 518031 (CN)
Données relatives à la priorité :
131141888 23.12.2013 HK
Titre (EN) SPLIT-GATE POWER SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMICONDUCTEURS À PUISSANCE DE PORTE DOUBLE
(ZH) 分裂栅功率半导体场效应晶体管
Abrégé : front page image
(EN)The present invention generally relates to a power Field-Effect Transistor (FET) structure and manufacturing. The present invention provides a planar power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) and an Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) structure comprising a split gate and a semi-insulating field plate. The present invention further provides manufacturing methods for these structures.
(FR)La présente invention concerne de manière générale une structure de puissance à transistor (TEC) à effet de champ et sa fabrication. La présente invention concerne une structure de puissance plane à transistor à effet de champ à semi-conducteurs à l'oxyde métallique (transistor à effet de champ MOS) et à un transistor bipolaire à grille isolée comprenant une porte double et une plaque de champ semi-isolante. La présente invention porte également sur des procédés de fabrication de ces structures.
(ZH)本发明大体上涉及功率场效应晶体管(FET)的结构和制造。本发明提供平面功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及包括分裂栅和半绝缘场板的绝缘栅双极晶体管(IGBT)结构。本发明还提供这些结构的制造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)