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1. (WO2015096581) STRUCTURE DE PLAQUE DE CHAMP POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096581    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/092250
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 26.11.2014
CIB :
H01L 29/40 (2006.01)
Déposants : NG, Chun Wai [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : NG, Chun Wai; (CN).
AHMED, Iftikhar; .
SIN, Johnny Kin On; (CN)
Mandataire : SHENZHEN QIANNA PATENT AGENCY LTD; Room 601-605, Unit West, Xincheng Building, Shennan Road Central, Futian Shenzhen, Guangdong 518031 (CN)
Données relatives à la priorité :
13114187.9 23.12.2013 HK
Titre (EN) FIELD PLATE STRUCTURE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE PLAQUE DE CHAMP POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 用于功率半导体装置的场板结构及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a structure for a power semiconductor device, and a manufacturing method therefor. Provided are structures of thin semi-insulating field plates (32, 33, 34) among metal electrodes (21, 22, 23) located on a surface of a power semiconductor device. The thin semi-insulating field plates (32, 33, 34) are formed by conducting deposition before metallization and conducting annealing after the metallization. The structure can be used in a horizontal power semiconductor device and a vertical power semiconductor device.
(FR)L’invention concerne une structure pour un dispositif à semi-conducteurs de puissance et son procédé de fabrication. Elle concerne des structures de plaques de champ semi-isolantes fines (32, 33, 34) se trouvant parmi des électrodes métalliques (21, 22, 23) situées sur une surface d’un dispositif à semi-conducteurs de puissance. On forme les plaques de champ semi-isolantes fines (32, 33, 34) en effectuant un dépôt avant la métallisation et en effectuant un recuit après la métallisation. On peut utiliser la structure dans un dispositif à semi-conducteurs de puissance horizontal ou un dispositif à semi-conducteurs de puissance vertical.
(ZH)提供一种功率半导体装置的结构和制造方法。提供位于在功率半导体装置的表面处的金属电极(21、22、23)之间的薄半绝缘场板(32、33、34)结构。所述薄半绝缘场板(32、33、34)通过在金属化之前进行沉积并且在所述金属化之后进行退火而形成。可用于横向功率半导体装置和垂直功率半导体装置中。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)