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1. (WO2015096394) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096394    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/078858
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 29.05.2014
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : YOO, Seongyeol; (CN).
CHOI, Seungjin; (CN).
KIM, Heecheol; (CN).
SONG, Youngsuk; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310740724.5 27.12.2013 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, ARRAY SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
(ZH) 薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor manufacturing method, array substrate manufacturing method and array substrate. The thin film transistor manufacturing method comprises: forming an active layer (203), a source electrode (204) and a drain electrode (205) on a substrate through a one-time patterning process, the active layer (203), the source electrode (204) and the drain electrode (205) being in the same layer. The thin film transistor manufacturing method can effectively reduce the number of patterning processes, thus improving the productivity of mass production and reducing costs.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de transistor à film mince, un procédé de fabrication de substrat de réseau et un substrat de réseau. Le procédé de fabrication transistor à film mince consiste : à former une couche active (203), une électrode source (204) et une électrode de drain (205) sur un substrat au moyen d'un processus de formation de motif effectué une seule fois, la couche active (203), l'électrode source (204) et l'électrode de drain (205) étant dans la même couche. Le procédé de fabrication de transistor à film mince peut réduire efficacement le nombre de processus de formation de motif, ce qui améliore ainsi la productivité de la production en masse et qui réduit les coûts.
(ZH)薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法以及阵列基板被提供。该薄膜晶体管的制备方法,包括:通过一次构图工艺在基板上形成有源层(203)、源极(204)和漏极(205),且所述有源层(203)、所述源极(204)和所述漏极(205)位于同一层。该薄膜晶体管的制备方法可以有效地减少构图工艺的次数,从而可提升量产产品的产能,降低成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)