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1. (WO2015096382) FACE ARRIÈRE DE DISPOSITIF DE PILOTAGE DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES COMPLÉMENTAIRE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CETTE DERNIÈRE ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096382    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/078571
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.05.2014
CIB :
H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : LIU, Xiaodi; (CN).
WANG, Gang; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310723714.0 24.12.2013 CN
Titre (EN) COMPLEMENTARY THIN FILM TRANSISTOR DRIVE BACKPLANE, PREPARATION METHOD THEREOF AND DISPLAY APPARATUS
(FR) FACE ARRIÈRE DE DISPOSITIF DE PILOTAGE DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES COMPLÉMENTAIRE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CETTE DERNIÈRE ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A complementary thin film transistor drive backplane, a preparation method thereof and a display apparatus, comprising: forming a lower-layer electrode (102) on an underlying substrate (101); sequentially arranging a continuous growing dielectric layer (103), a semiconductor layer (104) and a diffusion protection layer (105); sequentially forming a photoresist-free area (107), an N-type thin film transistor preparation area (108) and a P-type thin film transistor preparation area (109); removing a photoresist layer (114) of the N-type thin film transistor preparation area (108); removing the diffusion protection layer (105) of the N-type thin film transistor preparation area (108); removing the photoresist layer (114) of the P-type thin film transistor preparation area (109); performing oxidation treatment on the underlying substrate (101); arranging a passivation layer (111) on the underlying substrate (101); and forming an upper-layer electrode (113) on the passivation layer (111).
(FR)L'invention concerne une face arrière de dispositif de pilotage de transistor en couches minces complémentaire, un procédé de préparation de cette dernière et un appareil d'affichage, comprenant : la formation d'une électrode de couche inférieure (102) sur un substrat sous-jacent (101); l'agencement de manière séquentielle d'une couche de diélectrique de croissance continue (103), d'une couche de semi-conducteur (104) et d'une couche de protection de diffusion (105); la formation de manière séquentielle d'une zone sans photo-résine (107), d'une zone de préparation de transistor en couches minces de type N (108) et d'une zone de préparation de transistor en couches minces de type P (109); l'élimination d'une couche de photo-résine (114) de la zone de préparation de transistor en couches minces de type N (108); l'élimination de la couche de protection de diffusion (105) de la zone de préparation de transistor en couches minces de type N (108); l'élimination de la couche de photo-résine (114) de la zone de préparation de transistor en couches minces de type P (109); l'exécution d'un traitement d'oxydation sur le substrat sous-jacent (101); l'agencement d'une couche de passivation (111) sur le substrat sous-jacent (101); la formation d'une électrode de couche supérieure (113) sur la couche de passivation (111).
(ZH)一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置,包括在衬底基板(101)上形成下层电极(102);依次设置连续生长介质层(103)、半导体层(104)和扩散保护层(105);依次形成无光刻胶区(107)、N型薄膜晶体管制备区(108)和P型薄膜晶体管制备区(109);去除N型薄膜晶体管制备区(108)的光刻胶层(114);去除N型薄膜晶体管制备区(108)的扩散保护层(105);去除P型薄膜晶体管制备区(109)的光刻胶层(114);对衬底基板(101)进行氧化处理;在衬底基板(101)上设置钝化层(111);在钝化层(111)上形成上层电极(113)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)