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1. (WO2015096381) SUBSTRAT DE RESEAU ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096381    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/078506
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.05.2014
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN).
HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 2177, Tonglingbei Rd., New Railway Station District, Hefei, Anhui 230012 (CN)
Inventeurs : XU, Xiangyang; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310736307.3 26.12.2013 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RESEAU ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制造方法和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an array substrate, the array substrate comprising a plurality of data lines, a plurality of gate lines and a plurality of oxide thin film transistors, the plurality of data lines and the plurality of gate lines are mutually staggered and divide the array substrate into a plurality of pixel units, each pixel unit being provided with the oxide thin film transistor therein; the array substrate also comprises a metal oxide layer disposed under the crossed portion of the data lines and the gate lines, the upper surface of the metal oxide layer contacting the lower surface of the data lines. Also provided in the present invention are an array substrate manufacturing method and a display device comprising the array substrate.
(FR)L'invention concerne un substrat de réseau qui comprend une pluralité de lignes de données, une pluralité de lignes de grille et une pluralité de transistors à couches minces d'oxyde. La pluralité des lignes de données et la pluralité des lignes de grille sont placées en quinconce, les unes par rapport aux autres, et divisent le substrat de réseau en une pluralité d'unités de pixel, chaque unité de pixel contenant le transistor à couches minces d'oxyde; le substrat de réseau comprend aussi une couche d'oxyde métallique, placée sous la partie où se croisent les lignes de données et les lignes de grille, la surface supérieure de la couche d'oxyde métallique touchant la surface inférieure des lignes de données. La présente invention concerne également un procédé de fabrication de substrat de réseau et un dispositif d'affichage comprenant celui-ci.
(ZH) 本发明提供一种阵列基板,该阵列基板包括多条数据线、多条栅线和多个氧化物薄膜晶体管,多条所述数据线与多条所述栅线互相交错并将所述阵列基板划分为多个像素单元,每个所述像素单元内均设置有所述氧化物薄膜晶体管,所述阵列基板还包括至少设置在所述数据线与所述栅线相交叠的部分的下方的金属氧化物层,该金属氧化物层的上表面与所述数据线的下表面相接触。本发明还提供了所述阵列基板的制造方法以及包括所述阵列基板的显示装置。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)