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1. (WO2015096374) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, DISPOSITIF D’AFFICHAGE ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096374    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/078356
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 24.05.2014
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : CHOI, Seungjin; (CN).
KIM, Heecheol; (CN).
SONG, Youngsuk; (CN).
YOO, Seongyeol; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310717908.X 23.12.2013 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, DISPLAY DEVICE, AND THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, DISPOSITIF D’AFFICHAGE ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(ZH) 阵列基板及其制作方法、显示装置和薄膜晶体管
Abrégé : front page image
(EN)An array substrate and a manufacturing method therefor, a display device, and a thin-film transistor. The method comprises: forming on a base substrate (100) a pattern comprising an active layer (300), a pixel electrode (400), and a data line (200); forming a pattern comprising a gate insulation layer (500) and at least two gate electrode vias therein (510 and 520), where the at least two gate electrode vias (510 and 520) are located in an area in the gate insulation layer (500) corresponding to the periphery of the active layer (300) and not overlapped with areas where the pixel electrode (400) and the data line (200) are located; and, forming a pattern comprising a gate line (600) and at least two gate electrodes (610 and 620), where the at least two gate electrodes (610 and 620) are connected to the gate line (600) and are respectively located in the at least two gate electrode vias (510 and 520). The method reduces manufacturing processes and manufacturing costs.
(FR)La présente invention concerne un substrat de réseau et un procédé de fabrication associé, un dispositif d'affichage et un transistor à couches minces. Le procédé consiste à : former, sur un substrat de base (100), un motif comprenant une couche active (300), une électrode de pixel (400) et une ligne de données (200) ; former un motif comprenant une couche d'isolation de grille (500) et au moins deux traversées (510 et 520) d'électrode de grille en son sein, lesdites deux traversées (510 et 520) d'électrode de grille étant situées dans une zone se trouvant dans la couche d'isolation de grille (500) qui correspond à la périphérie de la couche active (300) et ne chevauchant pas des zones dans lesquelles sont situées l'électrode de pixel (400) et la ligne de données (200) ; et former un motif comprenant une ligne de grille (600) et au moins deux électrodes de grille (610 et 620), lesdites deux électrodes de grille (610 et 620) étant connectées à la ligne de grille (600) et étant respectivement situées dans lesdites deux traversées (510 et 520) d'électrode de grille. Le procédé diminue les traitements et les coûts de fabrication.
(ZH)一种阵列基板及其制作方法、显示装置和薄膜晶体管,该方法包括:在衬底基板(100)上形成包括有源层(300)、像素电极(400)及数据线(200)的图形;形成包括栅绝缘层(500)及其中的至少两个栅极过孔(510,520)的图形,至少两个栅极过孔(510,520)位于栅绝缘层(500)中对应有源层(300)周围且不与像素电极(400)和数据线(200)所在区域交叠的区域;形成包括栅线(600)和至少两个栅极(610,620)的图形,至少两个栅极(610,620)连接栅线(600)且分别位于至少两个栅极过孔(510,520)中。该方法节省了制作工艺及制作成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)