WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015096348) PROCÉDÉ POUR AMÉLIORER L’IMPLANTATION D’IONS ET DISPOSITIF D’IMPLANTATION D’IONS QUI L’EXÉCUTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096348    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/076949
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 07.05.2014
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : TIAN, Hui; (CN).
HUANGFU, Lujiang; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310717393.3 23.12.2013 CN
Titre (EN) METHOD FOR IMPROVING ION IMPLANTATION AND ION IMPLANTATION DEVICE FOR EXECUTING SAME
(FR) PROCÉDÉ POUR AMÉLIORER L’IMPLANTATION D’IONS ET DISPOSITIF D’IMPLANTATION D’IONS QUI L’EXÉCUTE
(ZH) 改善离子注入的方法及执行其的离子注入设备
Abrégé : front page image
(EN)A method for improving ion implantation and an ion implantation device for executing same, which belong to the technical field of ion implantation, and can solve the problems of poor stability and uniformity of ion beams of the existing ion implantation device. The method for improving ion implantation comprises the following steps: step S1, detecting beam current density and beam current distribution non-uniformity at different deceleration voltages; step S2, determining an operating deceleration voltage according to the beam current density and the beam current distribution non-uniformity; and step S3, conducting ion implantation at the determined operating deceleration voltage.
(FR)L’invention concerne un procédé pour améliorer l’implantation d’ions et un dispositif d’implantation d’ions qui l’exécute, qui appartiennent au domaine technique de l’implantation d’ions et permettent de résoudre les problèmes du manque de stabilité et d’uniformité des faisceaux d’ions du dispositif d’implantation d’ions existant. Le procédé pour améliorer l’implantation d’ions comprend les étapes suivantes : étape S1, détection de la densité de courant de faisceau et de la non-uniformité de distribution de courant de faisceau à différentes tensions de décélération ; étape S2, détermination d’une tension de décélération de fonctionnement d’après la densité de courant de faisceau et la non-uniformité de distribution de courant de faisceau ; et étape S3, exécution de l’implantation d’ions à la tension de décélération de fonctionnement déterminée.
(ZH)一种改善离子注入的方法和一种执行该改善离子注入的方法的离子注入设备,属于离子注入技术领域,其可解决现有的离子注入设备离子束的稳定性和均匀性差的问题。改善离子注入的方法包括以下步骤:步骤S1,检测不同减速电压下的束流密度和束流分布不均匀度;步骤S2,根据所述束流密度和束流分布不均匀度确定工作减速电压;以及步骤S3,在确定的工作减速电压下进行离子注入。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)