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1. (WO2015096304) PROCEDE DE PREPARATION D'UNE JONCTION DE TRES FAIBLE EPAISSEUR DOPEE AU ZINC SUR UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096304    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/075402
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 15.04.2014
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : SUN, Bing; (CN).
LIU, Honggang; (CN).
ZHAO, Wei; (CN).
WANG, Shengkai; (CN).
CHANG, Hudong; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310721825.8 24.12.2013 CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING ZINC-DOPED ULTRA-SHALLOW JUNCTION ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE
(FR) PROCEDE DE PREPARATION D'UNE JONCTION DE TRES FAIBLE EPAISSEUR DOPEE AU ZINC SUR UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for preparing a zinc-doped ultra-shallow junction on a semiconductor substrate surface, which belongs to the technical field of semiconductor integration. In the method, a zinc-doped ultra-shallow junction is prepared on a semiconductor substrate surface in a diffusion manner from zinc in zinc oxide obtained by depositing an atomic layer. The method comprises: cleaning a semiconductor substrate surface (1); in an atomic layer deposition system, depositing a zinc oxide layer on a semiconductor substrate using an atomic layer deposition method (2); depositing a cap layer on the zinc oxide layer (3); diffusing zinc atoms in the zinc oxide layer to the semiconductor substrate surface by high-temperature annealing (4); and removing the cap layer and the zinc oxide layer (5). The method can be used for preparing ultra-shallow junctions of planar and non-planar semiconductor devices, and has the advantages of controllable junction depth and low damage to lattices of semiconductor substrates when used for doping of small-sized semiconductor devices.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation d'une jonction de très faible épaisseur dopée au zinc sur une surface de substrat de semi-conducteur, qui a trait au domaine technique de l'intégration des semi-conducteurs. Dans le procédé, une jonction de très faible épaisseur dopée au zinc est préparée sur une surface de substrat de semi-conducteur par diffusion de zinc dans un oxyde de zinc, obtenu par le dépôt d'une couche atomique. Le procédé consiste à : nettoyer une surface (1) du substrat de semi-conducteur ; dans un système de dépôt de couches atomiques, déposer une couche d'oxyde de zinc sur un substrat de semi-conducteur à l'aide d'un procédé de dépôt de couches atomiques (2) ; déposer une couche de recouvrement sur la couche d'oxyde de zinc (3) ; diffuser des atomes de zinc dans la couche d'oxyde de zinc vers la surface du substrat de semi-conducteur par recuit à température élevée (4) ; et enlever la couche de recouvrement et la couche d'oxyde de zinc (5). Le procédé peut être utilisé pour préparer des jonctions de très faible épaisseur de dispositifs à semi-conducteur plans et non plans, et présente les avantages de permettre un réglage de la profondeur de la jonction et de n'engendrer que peu de dommages aux réseaux cristallins de substrats de semi-conducteurs quand on l'utilise pour doper des dispositifs à semi-conducteur de petite taille.
(ZH)一种在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法,属于半导体集成技术领域,该方法是将由原子层沉积得到的氧化锌中的锌以扩散的方式在半导体衬底表面制备锌掺杂的超浅结,该方法包括:清洗半导体衬底表面(1);在原子层沉积系统中利用原子层沉积的方法在半导体衬底上沉积氧化锌层(2);在氧化锌层上沉积帽层(3);高温退火将氧化锌层中的锌原子扩散到半导体衬底表面(4);去除帽层和氧化锌层(5)。该方法可用于平面、非平面半导体器件的超浅结制备,在小尺寸半导体器件掺杂方面具有结深可控、半导体衬底晶格损伤小的优点。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)