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1. (WO2015096289) TRANSISTOR CMOS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PANNEAU D’AFFICHAGE ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096289    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/074038
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 25.03.2014
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : JIANG, Chunsheng; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310732715.1 26.12.2013 CN
Titre (EN) CMOS TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, DISPLAY PANEL, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR CMOS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PANNEAU D’AFFICHAGE ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A CMOS transistor, a manufacturing method therefor, a display panel, and a display device. The CMOS transistor comprises a first area and a second area located above a base substrate. The first area comprises a first gate electrode, a first active layer, a first source electrode and a first drain electrode. The second area comprises a second gate electrode, a second active layer, a second source electrode and a second drain electrode. First dopant ions are formed in the first active layer, and second dopant ions are formed in the second active layer. The concentration of the first dopant ions is smaller than that of the second dopant ions. The first active layer is an n-type active layer, and the second active layer is a p-type active layer. Use of the present CMOS transistor reduces the power consumption of a display panel.
(FR)La présente invention concerne un transistor CMOS, son procédé de fabrication, un panneau d'affichage et un dispositif d'affichage. Le transistor CMOS comprend une première zone et une seconde zone situées au-dessus d'un substrat de base. Le première zone comprend une première électrode de grille, une première couche active, une première électrode de source et une première électrode de drain. La seconde zone comprend une seconde électrode de grille, une seconde couche active, une seconde électrode de source et une seconde électrode de drain. Des premiers ions dopants sont formés dans la première couche active et des seconds ions dopants sont formés dans la seconde couche active. La concentration en premiers ions dopants est inférieure à celle des seconds ions dopants. La première couche active est une couche active de type n, et la seconde couche active est une couche active de type p. L'utilisation du présent transistor CMOS diminue la consommation de courant d'un panneau d'affichage.
(ZH)一种CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置,该CMOS晶体管包括:位于衬底基板上方的第一区域和第二区域,所述第一区域包括:第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极;所述第二区域包括:第二栅电极、第二有源层、第二源电极和第二漏电极;其中,所述第一有源层中形成有第一掺杂离子,所述第二有源层中形成有第二掺杂离子,所述第一掺杂离子的浓度小于所述第二掺杂离子的浓度,所述第一有源层为n型有源层,所述第二有源层为p型有源层。使用该CMOS晶体管可以降低显示面板的功耗。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)