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1. (WO2015096268) PHOTOMASQUE, ÉLÉMENT TRANSISTOR À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT TRANSISTOR À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096268    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/071426
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 24.01.2014
CIB :
G03F 1/00 (2012.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; No.9-2,Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : YI, Zhiguang; (CN)
Mandataire : GUANGDONG GUANGHE LAW FIRM; 20/F,Block A.World Trade Plaza FuHong Rd, Futian District Shenzhen, Guangdong 518033 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310733217.9 26.12.2013 CN
Titre (EN) PHOTOMASK, THIN-FILM TRANSISTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR ELEMENT
(FR) PHOTOMASQUE, ÉLÉMENT TRANSISTOR À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT TRANSISTOR À FILM MINCE
(ZH) 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a photomask for defining a pattern of a data layer and a semiconductor layer of a thin-film transistor element. A plurality of slits (12) penetrating a photomask (10) are arranged on the photomask (10), and the plurality of slits (12) are arranged parallel to each other at equal intervals. An area on the photomask (10) apart from the plurality of slits (12) is defined as a light-shielding pattern region (14), and the light-shielding pattern region (14) encloses the plurality of slits (12). Also disclosed are a thin-film transistor element and a method for manufacturing the thin-film transistor element.
(FR)L'invention concerne un photomasque destiné à définir un motif d'une couche de données et une couche semi-conductrice d'un élément transistor à film mince. Une pluralités de fentes (12) pénétrant un photomasque (10) sont disposées sur le photomasque (10), et la pluralité de fentes (12) sont disposées parallèles les unes aux autres à des intervalles égaux. Une zone du photomasque (10) en dehors de la pluralité de fentes (12) est définie comme une région à motif protégeant contre la lumière (14), et la région à motif protégeant contre la lumière (14) entoure la pluralité de fentes (12). L'invention concerne également un élément transistor à fil mince et un procédé de fabrication de l'élément transistor à film mince.
(ZH)公开了一种用于定义薄膜晶体管元件的数据层及半导体层的图案的光掩膜。光掩膜(10)上开设有贯穿光掩膜(10)的多条狭缝(12),多条狭缝(12)彼此平行并等间距排列。光掩膜(10)上除多条狭缝(12)以外的区域被定义为遮光图案区(14),遮光图案区(14)将多条狭缝(12)包围起来。一种薄膜晶体管元件及一种制作薄膜晶体管元件的方法也被公开。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)