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1. (WO2015096194) DISPOSITIF DE TCM EN POLYSILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096194    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/070037
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 02.01.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Rd., Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : ZHAO, Guo; (CN)
Mandataire : SHENZHEN RONDA PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; Unit 4G, Golden Century Building, Southeast Corner of Shennan Middle Road and Guangzhou-Shenzhen Expwy, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310725152.3 25.12.2013 CN
Titre (EN) POLYSILICON TFT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE TCM EN POLYSILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种多晶硅TFT器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A polysilicon TFT device and a method for manufacturing same are provided. The polysilicon TFT device comprises: scan lines (10) and data lines (12) arranged staggerly; a semiconductor layer (11) electrically connected with the scan lines (10) and the data lines (12); and a pixel electrode (13) electrically connected with the semiconductor layer (11); the semiconductor layer (11) formed into multiple channel regions and doped regions arranged successively at intervals from the connection points of the semiconductor layer (11) and the data lines (12) to the connection points of the semiconductor layer (11) and the pixel electrode (13), the channel regions being intersected and overlapped portions of the semiconductor layer (11) and the scan lines (10),and the other portions being the doped regions, the width of at least one of the doped regions being 0.5-3 um and an ion doping concentration being 2*E11~5*E15. It forms the multiple channel regions and doped regions arranged mutually at intervals by the semiconductor layer (11) designed to be a bent pattern and successively interested with the scan lines (10) , and reduces leakage of electric current by controlling the width and the ion doping concentration of the doped regions.
(FR)L'invention concerne un dispositif de TCM en polysilicium et un son procédé de fabrication. Le dispositif de TCM en polysilicium comprend : des lignes de balayage (10) et des lignes de données (12) agencées de façon décalée ; une couche semi-conductrice (11) électriquement connectée aux lignes de balayage (10) et aux lignes de données (12) ; et une électrode de pixel (13) électriquement connectée à la couche semi-conductrice (11) ; la couche semi-conductrice (11) étant formée en de multiples régions de canal et régions dopées agencées successivement au niveau d'intervalles à partir des points de connexion de la couche semi-conductrice (11) et des lignes de données (12) jusqu'aux points de connexion de la couche semi-conductrice (11) et de l'électrode de pixel (13), les régions de canal étant des parties intersectées et chevauchées de la couche semi-conductrice (11) et des lignes de balayage (10), et les autres parties étant les régions dopées, la largeur d'au moins l'une des régions dopées étant de 0,5 à 3 um et une concentration de dopage d'ions étant de 2*E11~5*E15. Cela forme les multiples régions de canal et régions dopées agencées mutuellement au niveau d'intervalles par la couche semi-conductrice (11) conçue pour être un motif courbé et ensuite intéressé par les lignes de balayage (10), et réduit les fuites de courant électrique en contrôlant la largeur et la concentration de dopage d'ions des régions dopées.
(ZH)提供一种多晶硅TFT器件及其制造方法,其中多晶硅TFT器件包括:交错排列的扫描线(10)和数据线(12);与所述扫描线(10)和数据线(12)电连接的半导体层(11);以及与所述半导体层(11)电连接的像素电极(13);所述半导体层(11)自其与所述数据线(12)的连接点至其与所述像素电极(13)的连接点,形成依次间隔设置的多个通道区和掺杂区,所述通道区为所述半导体层(11)与扫描线(10)相交重叠的部分,其余部分为掺杂区,至少一个所述掺杂区的宽度为0.5-3um,离子掺杂浓度为2*E11~5*E15。通过将半导体层(11)设计为弯折图案,依次与扫描线(10)相交,形成相互间隔设置的多个通道区和掺杂区,通过控制掺杂区的宽度及离子掺杂浓度来降低漏电流。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)