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1. (WO2015096174) FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/096174    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/090858
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 30.12.2013
CIB :
H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Longxian; (CN)
Mandataire : MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; Suite 611, 6/F, Block 206, Nanyou Second Industrial Zone (Block B, HengYue Center) No.21 Dengliang Road, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518054 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310728614.7 25.12.2013 CN
Titre (EN) LOW TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND PREPARATION METHOD THEREOF, AND TRANSISTOR
(FR) FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET TRANSISTOR
(ZH) 低温多晶硅薄膜及其制备方法、晶体管
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method of preparing low temperature polysilicon thin film, the method comprising the steps of growing an amorphous silicon thin film layer: first growing a silicon oxide layer on the amorphous silicon thin film layer; then preparing a number of concave surfaces on the silicon oxide layer, the concave surfaces causing refraction of laser beams vertically irradiated onto the silicon oxide layer; finally irradiating with excimer laser beams from the silicon oxide layer onto the amorphous silicon thin film layer, causing the amorphous silicon thin film layer to crystallize and form low temperature polysilicon thin film. Also disclosed are a low temperature polysilicon thin film prepared by a method described above and a transistor comprising the same. When preparing low temperature polysilicon thin film with an excimer laser annealing process in the invention, the start point and direction of recrystallization is controllable, thus obtaining larger polysilicon crystal grains.
(FR)Cette invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince de silicium polycristallin basse température, ledit procédé consistant à : obtenir par croissance une couche de film mince de silicium amorphe ; obtenir par croissance une couche d'oxyde de silicium sur la couche de film mince de silicium amorphe ; puis préparer une certain nombre de surfaces concaves sur la couche d'oxyde de silicium, lesdites surfaces concaves provoquant la réfraction de faisceaux laser verticalement irradiés sur la couche d'oxyde de silicium ; irradier enfin par faisceaux laser à excimère la couche de film mince de silicium amorphe à partir de la couche d'oxyde de silicium de manière à provoquer la cristallisation de la couche de film mince de silicium amorphe et la formation d'un film mince de silicium polycristallin basse température. L'invention concerne en outre un film mince de silicium polycristallin basse température préparé par le procédé décrit ci-dessus et un transistor comprenant ledit film mince. Au cours de la préparation du film mince de silicium polycristallin basse température par recuit par laser à excimère, le point de départ et le sens de la recristallisation sont contrôlables de manière à obtenir des grains cristallins de silicium polycristallin de taille supérieure.
(ZH)本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法,包括生长非晶硅薄膜层的步骤,首先在所述非晶硅薄膜层上生长一氧化硅层;然后在所述氧化硅层上制备多个凹形弧面,所述凹形弧面可使垂直照射于所述氧化硅层的激光束发生折射;最后采用准分子激光束从所述氧化硅层照射到所述非晶硅薄膜层上,使所述非晶硅薄膜层结晶形成低温多晶硅薄膜。本发明还公开了一种由如上所述的方法制备获得的低温多晶硅薄膜以及包含该低温多晶硅薄膜的晶体管。本发明在采用准分子激光退火工艺制备低温多晶硅薄膜时,重结晶的起点和方向可控,获得较大的多晶硅晶粒。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)