(EN) The present invention concerns a process for the deposition of a solder-through polymer coating on an uncoated printed circuit board which comprises the use of an average low power and low pressure plasma polymerisation in a polymerisation chamber of an organosilane precursor monomer which is introduced into said polymerisation chamber by means of a carrier gas, said organosilane being of the Formula Y1-X-Y2 (I) or -[Si(CH3)2-X-]n- (II), wherein : X is O or NH; Y1 is - Si(Y3)(Y4)Y5; Y2 is Si(Y3')(Y4')Y5'; Y3, Y4, Y5, Υ3', Υ4', and Y5' are each independently H or an alkyl group of up to 10 carbon atoms; the monomer of formula (II) is cyclic wherein n is 2 to 10, and wherein at most one of Y3, Y4 and Y5 is hydrogen, at most one of Υ3', Y4' and Y5' is hydrogen and the total number of carbon atoms is not more than 20.
(FR) Cette invention concerne un procédé de dépôt d'un revêtement polymère par soudage sur une carte de circuit imprimé non revêtue qui comprend l'utilisation d'une polymérisation plasma moyenne, à basse puissance et basse pression dans une chambre de polymérisation, d'un monomère précurseur d'organosilane qui est introduit dans ladite chambre de polymérisation au moyen d'un gaz vecteur, ledit organosilane répondant à la Formule Y1-X-Y2 (I) ou -[Si(CH3)2-X-]n- (II), où : X est O ou NH; Y1 est - Si(Y3)(Y4)Y5; Y2 est Si(Y3')(Y4')Y5'; Y3, Y4, Y5, Υ3', Υ4', et Y5' sont chacun indépendamment H ou un groupe alkyle ayant jusqu'à 10 atomes de carbone; le monomère de formule (II) est cyclique, n dans la formule étant de 2 à 10, et au plus un des Y3, Y4 et Y5 est un atome d'hydrogène, au plus un des Υ3', Y4' et Y5' est un atome d'hydrogène et le nombre total d'atomes de carbone est égal ou inférieur à 20.