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1. WO2015079974 - ÉLÉMENT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DE TYPE RÉSONATEUR EXTERNE

Numéro de publication WO/2015/079974
Date de publication 04.06.2015
N° de la demande internationale PCT/JP2014/080478
Date du dépôt international 18.11.2014
CIB
H01S 5/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
14Lasers à cavité externe
G02B 5/18 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5Eléments optiques autres que les lentilles
18Grilles de diffraction
CPC
G02B 5/1814
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
18Diffraction gratings
1814structurally combined with one or more further optical elements, e.g. lenses, mirrors, prisms or other diffraction gratings
G02B 6/124
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
124Geodesic lenses or integrated gratings
H01S 2301/163
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
16Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
163Single longitudinal mode
H01S 5/02415
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Arrangements for thermal management
02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
02415by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
H01S 5/0287
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
028Coatings ; ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
0287Facet reflectivity
H01S 5/0654
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; ; Self pulsating
0651Mode control
0653Mode suppression, e.g. specific multimode
0654Single longitudinal mode emission
Déposants
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 近藤 順悟 KONDO Jungo
  • 山口 省一郎 YAMAGUCHI Shoichiro
  • 江尻 哲也 EJIRI Tetsuya
  • 浅井 圭一郎 ASAI Keiichiro
  • 岡田 直剛 OKADA Naotake
Mandataires
  • 細田 益稔 HOSODA Masutoshi
Données relatives à la priorité
2013-24453827.11.2013JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GRATING ELEMENT AND EXTERNAL-RESONATOR-TYPE LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DE TYPE RÉSONATEUR EXTERNE
(JA) グレーティング素子および外部共振器型発光装置
Abrégé
(EN)
[Problem] To suppress mode hopping, increase wavelength stability, and suppress beam power fluctuations without the use of a Peltier element. [Solution] A grating element (1) equipped with: a support substrate (10): an optical material layer (11) that is disposed on the support substrate and exhibits a thickness of 0.5-3.0μm inclusive; a ridged optical waveguide in which ridges are formed by pairs of ridge grooves in the optical material layer and that includes an irradiation surface onto which a semiconductor laser beam is irradiated, and an emission surface that emits emission light of a desired wavelength; a Bragg grating (12) comprising recesses and protrusions formed inside the optical waveguide path; and a propagation path (13) disposed between the irradiation surface and the Bragg grating. The relationship of formulae (1) - (4) is satisfied ((1) : 0.8nm≦ΔλG≦6.0nm; (2) : 10µm≦Lb≦300µm; (3) : 20nm≦td≦250nm; (4) : nb≧1.8).
(FR)
L'invention aborde le problème lié à la suppression de saut de mode, à l'accroissement de la stabilité de longueur d'onde et à la suppression de fluctuations de puissance de faisceau sans utilisation d'un élément de Peltier. La solution selon l'invention consiste en un élément de réseau (1) équipé : d'un substrat de support (10); d'une couche de matériau optique (11) qui est disposée sur le substrat de support et qui présente une épaisseur comprise entre 0.5 et 3.0 µm inclus; un guide d'ondes optique plissé dans lequel des plis sont formés par des paires de sillons de plis dans la couche de matériau optique et qui inclut une surface de projection sur laquelle un faisceau laser semi-conducteur est projeté, et une surface d'émission qui émet une lumière d'émission d'une longueur d'onde désirée; d'un réseau de Bragg (12) comprenant des évidements et des excroissances formé à l'intérieur du chemin de guide d'ondes optique; et d'un chemin de propagation (13) disposé entre la surface de projection et le réseau de Bragg. La relation des formules (1) à (4) est satisfaite ((1) : 0.8nm≦ΔλG≦6.0nm; (2) : 10µm≦Lb≦300µm; (3) : 20nm≦td≦250nm; (4) : nb≧1.8).
(JA)
【課題】ペルチェ素子を使用することなく、モードホップを抑制し、波長安定性を高くし、光パワー変動を抑制できるようにする。 【解決手段】グレーティング素子1は、支持基板10、支持基板上に設けられ、厚さ0.5μm以上、3.0μm以下の光学材料層11、前記光学材料層に一対のリッジ溝によって形成されているリッジ型光導波路であって、半導体レーザ光が入射する入射面と所望波長の出射光を出射する出射面を有するリッジ型光導波路、光導波路内に形成された凹凸からなるブラッググレーティング12、および入射面とブラッググレーティングとの間に設けられている伝搬部13を備える。式(1)~式(4)の関係が満足される。0.8nm≦△λG≦6.0nm・・・(1):10μm≦L≦300μm・・・(2):20nm≦td≦250nm・・・(3):n≧1.8・・・(4)
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