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1. WO2015030199 - ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2015/030199
Date de publication 05.03.2015
N° de la demande internationale PCT/JP2014/072802
Date du dépôt international 29.08.2014
CIB
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
CPC
H01B 1/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
22the conductive material comprising metals or alloys
H01L 31/02168
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02167for solar cells
02168the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/022466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
H01L 31/02366
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
02366of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
H01L 31/068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
Déposants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 小波本 直也 KOBAMOTO, Naoya
  • 坂元 智成 SAKAMOTO, Tomonari
Données relatives à la priorité
2013-18011830.08.2013JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLAR CELL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池素子およびその製造方法
Abrégé
(EN)
To provide a solar cell element with high conversion efficiency, low substrate warpage after electrode formation, and improved adhesion strength between a substrate and the electrodes, the present invention provides the following solar cell element. The solar cell element provided with a silicon substrate with a p-type semiconductor region on the surface, and an electrode having aluminum as a primary constituent and being disposed on the p-type semiconductor region, wherein the electrode comprises a glass constituent that contains vanadium oxide, tellurium oxide, and boron oxide and the amount of vanadium oxide contained in the glass constituent is lower than the sum of the amount of tellurium oxide and the amount of boron oxide contained. Alternatively, the electrode comprises a glass constituent that contains vanadium oxide, tellurium oxide, and boron oxide and, if the glass constituent is 100 parts by mass, the glass constituent contains 5-33 parts by mass of vanadium oxide, 4-30 parts by mass of tellurium oxide, and 4-18 parts by mass of boron oxide.
(FR)
Pour fournir un élément de cellule solaire avec une efficacité de conversion élevée, un faible enveloppement de substrat après la formation d’électrode et une force d’adhésion améliorée entre un substrat et les électrodes, la présente invention concerne l’élément de cellule solaire suivant. L’élément de cellule solaire est pourvu d’un substrat de silicium avec une région semi-conductrice de type p sur la surface et une électrode ayant de l’aluminium comme principal constituant et étant disposée sur la région semi-conductrice de type p, l’électrode comprenant un constituant de verre contenant de l’oxyde de vanadium, de l’oxyde de tellure, et de l’oxyde de bore la quantité d’oxyde de vanadium contenu dans le constituant de verre étant inférieure à la somme de la quantité d’oxyde de tellure et de la quantité d’oxyde de bore contenues. En variante, l’électrode comprend un constituant de verre contenant de l’oxyde de vanadium, de l’oxyde de tellure et de l’oxyde de bore et si le constituant de verre représente 100 parties en masse, le constituant de verre contient 5-33 parties en masse d’oxyde de vanadium, 4-30 parties en masse d’oxyde de tellure et 4-18 parties en masse d’oxyde de bore.
(JA)
 高い変換効率を有し、電極形成後の基板の反りが小さく、基板と電極との密着強度を向上させた太陽電池素子を提供するために、以下の太陽電池素子とする。表面にp型半導体領域を有するシリコン基板と、前記p型半導体領域の上に配置されたアルミニウムを主成分とする電極とを備えている太陽電池素子において、前記電極は、酸化バナジウム、酸化テルルおよび酸化ボロンを含むガラス成分を有しており、該ガラス成分において、酸化バナジウムの含有量は、酸化テルルの含有量と酸化ボロンの含有量との和よりも少ない。または、前記電極は、酸化バナジウム、酸化テルルおよび酸化ボロンを含むガラス成分を有しており、該ガラス成分は、該ガラス成分を100質量部とした場合に、酸化バナジウムを5~33質量部、酸化テルルを4~30質量部、および酸化ボロンを4~18質量部含有している。
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