(EN) Provided is a semiconductor light emitting element wherein light extraction efficiency is further improved, while ensuring spreading of a current flowing in a light emitting layer, said spreading being in the horizontal direction.
This semiconductor light emitting element is configured such that the semiconductor light emitting element has, on a supporting substrate, an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light emitting layer that is formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The semiconductor light emitting element is provided with: an n-side electrode that is formed by having the bottom surface thereof in contact with the upper surface of the n-type semiconductor layer; a reflection electrode, which has the upper surface thereof in contact with the bottom surface of the p-type semiconductor layer, and which is formed in a region including a position just below the area where the n-side electrode is formed; and a first insulating layer, which is formed by having the upper surface thereof in contact with the bottom surface of the reflection electrode, said first insulating layer being formed at a position just below the area where the n-side electrode is formed.
(FR) La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur dans lequel l'efficacité d'extraction de lumière est davantage améliorée, tandis qu'est assurée la diffusion d'un courant circulant dans une couche électroluminescente, ladite diffusion se réalisant dans la direction horizontale. L'élément électroluminescent à semi-conducteur est conçu de sorte à comporter, sur un substrat de support, une couche semi-conductrice de type n, une couche semi-conductrice de type p, et une couche électroluminescente qui est formée entre la couche semi-conductrice de type n et la couche semi-conductrice de type p. L'élément électroluminescent à semi-conducteur est équipé : d'une électrode côté n qui est formée en ayant sa surface inférieure en contact avec la surface supérieure de la couche semi-conductrice de type n ; d'une électrode de réflexion, qui a sa surface supérieure en contact avec la surface inférieure de la couche semi-conductrice de type p, et qui est formée dans une région comprenant une position juste au-dessous de la zone où l'électrode côté n est formée ; et d'une première couche isolante, qui est formée en ayant sa surface supérieure en contact avec la surface inférieure de l'électrode de réflexion, ladite première surface isolante étant formée à une position juste au-dessous de la zone où l'électrode côté n est formée.
(JA) 発光層を流れる電流の水平方向への拡がりを確保しながら、光の取り出し効率を更に向上させた半導体発光素子を提供する。 半導体発光素子は、支持基板上に、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層の間に形成された発光層を有する構成であって、底面をｎ型半導体層の上面に接触して形成されたｎ側電極と、上面をｐ型半導体層の底面に接触し、ｎ側電極の形成箇所の直下の位置を含む領域に形成された反射電極と、ｎ側電極の形成箇所の直下の位置において、上面を反射電極の底面に接触して形成された第１絶縁層を備える。