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1. WO2015029727 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2015/029727
Date de publication 05.03.2015
N° de la demande internationale PCT/JP2014/070711
Date du dépôt international 06.08.2014
CIB
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
Déposants
  • ウシオ電機株式会社 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 杉山 徹 SUGIYAMA,Toru
  • 月原 政志 TSUKIHARA,Masashi
  • 三好 晃平 MIYOSHI,Kohei
  • 南部 紗織 NAMBU,Saori
Mandataires
  • 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE
Données relatives à la priorité
2013-18045130.08.2013JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor light emitting element wherein light extraction efficiency is further improved, while ensuring spreading of a current flowing in a light emitting layer, said spreading being in the horizontal direction. This semiconductor light emitting element is configured such that the semiconductor light emitting element has, on a supporting substrate, an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light emitting layer that is formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The semiconductor light emitting element is provided with: an n-side electrode that is formed by having the bottom surface thereof in contact with the upper surface of the n-type semiconductor layer; a reflection electrode, which has the upper surface thereof in contact with the bottom surface of the p-type semiconductor layer, and which is formed in a region including a position just below the area where the n-side electrode is formed; and a first insulating layer, which is formed by having the upper surface thereof in contact with the bottom surface of the reflection electrode, said first insulating layer being formed at a position just below the area where the n-side electrode is formed.
(FR)
La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur dans lequel l'efficacité d'extraction de lumière est davantage améliorée, tandis qu'est assurée la diffusion d'un courant circulant dans une couche électroluminescente, ladite diffusion se réalisant dans la direction horizontale. L'élément électroluminescent à semi-conducteur est conçu de sorte à comporter, sur un substrat de support, une couche semi-conductrice de type n, une couche semi-conductrice de type p, et une couche électroluminescente qui est formée entre la couche semi-conductrice de type n et la couche semi-conductrice de type p. L'élément électroluminescent à semi-conducteur est équipé : d'une électrode côté n qui est formée en ayant sa surface inférieure en contact avec la surface supérieure de la couche semi-conductrice de type n ; d'une électrode de réflexion, qui a sa surface supérieure en contact avec la surface inférieure de la couche semi-conductrice de type p, et qui est formée dans une région comprenant une position juste au-dessous de la zone où l'électrode côté n est formée ; et d'une première couche isolante, qui est formée en ayant sa surface supérieure en contact avec la surface inférieure de l'électrode de réflexion, ladite première surface isolante étant formée à une position juste au-dessous de la zone où l'électrode côté n est formée.
(JA)
 発光層を流れる電流の水平方向への拡がりを確保しながら、光の取り出し効率を更に向上させた半導体発光素子を提供する。 半導体発光素子は、支持基板上に、n型半導体層と、p型半導体層と、n型半導体層及びp型半導体層の間に形成された発光層を有する構成であって、底面をn型半導体層の上面に接触して形成されたn側電極と、上面をp型半導体層の底面に接触し、n側電極の形成箇所の直下の位置を含む領域に形成された反射電極と、n側電極の形成箇所の直下の位置において、上面を反射電極の底面に接触して形成された第1絶縁層を備える。
Également publié en tant que
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