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1. WO2015023361 - PLASMA À COURANT CONTINU (C.C.) NON AMBIPOLAIRE AUTO-ENTRETENU ET À FAIBLE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2015/023361
Date de publication 19.02.2015
N° de la demande internationale PCT/US2014/043342
Date du dépôt international 20.06.2014
CIB
H01J 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
27Tubes à faisceau ionique
02Sources d'ions; Canons à ions
CPC
H01J 37/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01J 37/3233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32321Discharge generated by other radiation
3233using charged particles
H01J 37/32899
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32899Multiple chambers, e.g. cluster tools
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US]/[US] (JP)
Inventeurs
  • CHEN, Zhiying
  • CHEN, Lee
  • FUNK, Merritt
Mandataires
  • MEHIGAN, Jason D.
Données relatives à la priorité
14/168,56530.01.2014US
61/864,96512.08.2013US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SELF-SUSTAINED NON-AMBIPOLAR DIRECT CURRENT (DC) PLASMA AT LOW POWER
(FR) PLASMA À COURANT CONTINU (C.C.) NON AMBIPOLAIRE AUTO-ENTRETENU ET À FAIBLE PUISSANCE
Abrégé
(EN)
A processing system is disclosed, having an electron beam source chamber that excites plasma to generate an electron beam, and an ion beam source chamber that houses a substrate and also excites plasma to generate an ion beam. The processing system also includes a dielectric injector coupling the electron beam source chamber to the ion beam source chamber that simultaneously injects the electron beam and the ion beam and propels the electron beam and the ion beam in opposite directions. The voltage potential gradient between the electron beam source chamber and the ion beam source chamber generates an energy field that is sufficient to maintain the electron beam and ion beam as a plasma treats the substrate so that radio frequency (RF) power initially applied to the processing system to generate the electron beam can be terminated thus improving the power efficiency of the processing system.
(FR)
La présente invention se rapporte à un système de traitement qui comprend une chambre source de faisceau d'électrons excitant un plasma afin de générer un faisceau d'électrons, ainsi qu'une chambre source de faisceau d'ions contenant un substrat et excitant également un plasma pour générer un faisceau d'ions. Le système de traitement comporte aussi un injecteur diélectrique couplant la chambre source de faisceau d'électrons à la chambre source de faisceau d'ions, qui injecte simultanément le faisceau d'électrons et le faisceau d'ions, et qui propulse ledit faisceau d'électrons ainsi que ledit faisceau d'ions dans des directions opposées. Le gradient de potentiel de tension entre la chambre source de faisceau d'électrons et la chambre source de faisceau d'ions génère un champ énergétique suffisant pour préserver le faisceau d'électrons et le faisceau d'ions tandis qu'un plasma traite le substrat, de sorte que la puissance radioélectrique (RF) appliquée au départ sur le système de traitement afin de générer le faisceau d'électrons devient inutile, ce qui améliore le rendement énergétique du système de traitement.
Également publié en tant que
KR1020167006577
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