Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2014190613) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2014/190613 N° de la demande internationale : PCT/CN2013/080827
Date de publication : 04.12.2014 Date de dépôt international : 05.08.2013
CIB :
H01L 25/13 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,G09F 9/33 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10
les dispositifs ayant des conteneurs séparés
13
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
33
à semi-conducteurs, p.ex. à diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
北京京东方光电科技有限公司 BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 经济技术开发区西环中路8号 No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176, CN
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
蔡佩芝 CAI, Peizhi; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201310201938.527.05.2013CN
Titre (EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE FOR SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ASSOCIÉS
(ZH) 量子点发光二极管及其制备方法、显示器件
Abrégé :
(EN) A quantum dot light-emitting diode, comprising: a first electrode (20) and a second electrode (30), a quantum dot light-emitting layer (40) disposed between the two electrodes, the quantum dot light-emitting layer (40) comprising at least red quantum dots (401), green quantum dots (402), and blue quantum dots (403), and black matrices (50) disposed at least between the red quantum dots (401), the green quantum dots (402), and the blue quantum dots (403); of the first electrode (20) and the second electrode (30), at least the electrode positioned on the light-emitting side is transparent. The present quantum dot light-emitting diode achieves full-colour display and can effectively improve pixel aperture ratio. Also disclosed are a manufacturing method and display device for the quantum dot light-emitting diode.
(FR) La présente invention concerne une diode électroluminescente à points quantiques, comprenant : une première électrode (20) et une seconde électrode (30), une couche électroluminescente à points quantiques (40) agencée entre les deux électrodes, la couche de électroluminescente à points quantiques comprenant au moins des points quantiques rouges (401), des points quantiques verts (402), des points quantiques bleus (403) et des matrices noires (50) disposées au moins entre les points quantiques rouges (401), les points quantiques verts (402) et les points quantiques bleus (403); entre la première électrode (20) et la seconde électrode (30), au moins l'électrode placée du côté électroluminescent est transparente. La présente diode électroluminescente à points quantiques permet d'obtenir un affichage couleur et d'améliorer efficacement le rapport d'ouverture des pixels. L'invention concerne également un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage pour la diode électroluminescente à points quantiques.
(ZH) 一种量子点发光二极管包括:第一电极(20)和第二电极(30),设置于两电极之间的量子点发光层(40),所述量子点发光层(40)至少包括红光量子点(401)、绿光量子点(402)和蓝光量子点(403),以及至少设置于所述红光量子点(401)、绿光量子点(402)以及蓝光量子点(403)之间的黑矩阵(50);其中,所述第一电极(20)和所述第二电极(30)中位于出光一侧的电极至少为透明。该量子点发光二极管可实现全彩化显示,并可有效提高像素开口率。还公开了量子点发光二极管的制备方法、显示器件。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)