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1. (WO2014176283) FILMS ET MATÉRIAUX À BASE DE NITRURE III SEMI-POLAIRE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/176283    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/035042
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 22.04.2014
CIB :
C30B 25/18 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01)
Déposants : OSTENDO TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 6185 Paseo del Norte, Suite 200 Carlsbad, California 92011 (US)
Inventeurs : SOUKHOVEEV, Vitali; (US).
IVANTSOV, Vladimir; (US).
HASKELL, Benjamin A.; (US).
EL-GHOROURY, Hussein S.; (US).
SYRKIN, Alexander; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
61/814,653 22.04.2013 US
Titre (EN) SEMI-POLAR III-NITRIDE FILMS AND MATERIALS AND METHOD FOR MAKING THE SAME
(FR) FILMS ET MATÉRIAUX À BASE DE NITRURE III SEMI-POLAIRE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method has been developed to overcome deficiencies in the prior art in the properties and fabrication of semi-polar group III-nitride templates, films, and materials. A novel variant of hydride vapor phase epitaxy has been developed that provides for controlled growth of nanometer-scale periodic structures. The growth method has been utilized to grow multi-period stacks of alternating AlGaN layers of distinct compositions. The application of such periodic structures to semi-polar III-nitrides yielded superior structural and morphological properties of the material, including reduced threading dislocation density and surface roughness at the free surface of the as-grown material. Such enhancements enable to fabrication of superior quality semi-polar III-nitride electronic and optoelectronic devices, including but not limited to transistors, light emitting diodes, and laser diodes.
(FR)La présente invention concerne un procédé développé pour pallier aux déficiences dans l'état antérieur de la technique concernant les propriétés et la fabrication de matrices, films et matériaux à base de nitrure du groupe III semi-polaire. Une nouvelle variante d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure a été développée et permet une croissance contrôlée de structures périodiques de taille nanométrique. Ledit procédé de croissance a été utilisé pour faire croitre des empilements multi-périodiques de couches de AlGaN alternées de compositions distinctes. L'application de telles structures périodiques à des nitrures III semi-polaires permet au matériau de présenter des propriétés structurelles et morphologiques supérieures, y compris une densité de dislocation de filetage et une rugosité de surface au niveau de la surface libre réduites chez le matériau ainsi produit. De telles améliorations permettent la fabrication de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure III semi-polaire de qualité supérieure, dont, par exemple, des transistors, des diodes électroluminescentes et des diodes laser.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)