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1. (WO2014176282) COUVERCLE DE PROTECTION POUR MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/176282    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/035039
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 22.04.2014
CIB :
H01L 21/687 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01), B23Q 3/15 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : PARKHE, Vijay, D.; (US)
Mandataire : PORTNOVA, Marina; Lowenstein Sandler LLP 65 Livingston Avenue Roseland, NJ 07068 (US)
Données relatives à la priorité :
61/816,547 26.04.2013 US
14/256,781 18.04.2014 US
Titre (EN) PROTECTIVE COVER FOR ELECTROSTATIC CHUCK
(FR) COUVERCLE DE PROTECTION POUR MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A protective cover for an electrostatic chuck may include a conductive wafer and a plasma resistant ceramic layer on at least one surface of the conductive wafer. The plasma resistant ceramic layer covers a top surface of the conductive wafer, side walls of the conductive wafer and an outer perimeter of a bottom surface of the conductive wafer. Alternatively, a protective cover for an electrostatic chuck may include a plasma resistant bulk sintered ceramic wafer and a conductive layer on a portion of a bottom surface of the plasma resistant bulk sintered ceramic wafer, wherein a perimeter of the bottom surface is not covered.
(FR)La présente invention concerne un couvercle de protection pour un mandrin électrostatique, qui peut comprendre une galette conductrice et une couche de céramique résistante au plasma sur au moins une surface de la galette conductrice. La couche de céramique résistante au plasma recouvre une surface supérieure de la galette conductrice, des parois latérales de la galette conductrice et un périmètre extérieur d'une surface inférieure de la galette conductrice. En variante, un couvercle de protection pour un mandrin électrostatique peut comprendre une galette en céramique frittée en bloc résistante au plasma et une couche conductrice sur une partie d'une surface inférieure de la galette en céramique frittée en bloc résistante au plasma, un périmètre de la surface inférieure n'étant pas couvert.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)