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1. (WO2014176077) FORMATION D'UN FILM MINCE POUR DISPOSITIF SENSIBLE À L'ENVIRONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/176077    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/034174
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 15.04.2014
CIB :
H05H 1/24 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : VEECO ALD INC. [US/US]; 3191 Laurelview Court Fremont, CA 94538 (US)
Inventeurs : LEE, Sang, In; (US)
Mandataire : AHN, Dohyun; Fenwick & West LLP Silicon Valley Center 801 California Street Mountain View, CA 94041 (US)
Données relatives à la priorité :
61/815,980 25.04.2013 US
14/248,968 09.04.2014 US
Titre (EN) THIN FILM FORMATION FOR DEVICE SENSITIVE TO ENVIRONMENT
(FR) FORMATION D'UN FILM MINCE POUR DISPOSITIF SENSIBLE À L'ENVIRONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments relate to forming a barrier layer on a device before performing radical- assisted atomic layer deposition (RA-ALD) using ozone to form oxygen radicals that function as a reactant precursor for depositing a blanket deposition layer over the device. Before exposing the substrate to ozone or oxygen radicals generated from ozone or oxygen radicals with hydroxyl radicals (generated from ozone mixed with hydrogen-containing gas such as hydrogen or ammonia), the barrier layer is formed on the substrate by exposing the device formed on a substrate to radicals of nitrogen compound gas to prevent ozone, its radicals or oxygen radicals in combination with hydroxyl radicals from penetrating and damaging the device during the process of depositing the blanket deposition layer.
(FR)Des modes de réalisation selon l'invention concernent la formation d'une couche barrière sur un dispositif avant dépôt d'une couche atomique assisté par radicaux (RA-ALD) à l'aide d'ozone pour former des radicaux d'oxygène qui opèrent comme un précurseur de produit de départ pour déposer une couche de couverture sur le dispositif. Avant d'exposer le substrat à l'ozone ou aux radicaux d'oxygène générés à partir de l'ozone ou à des radicaux d'oxygène combinés à des radicaux d'hydroxyle (générés à partir d'ozone mélangé à un gaz contenant de l'hydrogène tel que l'hydrogène ou le gaz ammoniac), la couche barrière est formée sur le substrat par exposition du dispositif formé sur un substrat à des radicaux de gaz azote pour empêcher l'ozone, ses radicaux ou les radicaux d'oxygène combinés aux radicaux d'hydroxyle de pénétrer dans le dispositif et de l'endommager pendant le procédé de dépôt de la couche de couverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)